Orientação111 100 SSP DSP Alta pureza InP Wafer de semicondutores 6'4' InP Wafers

Descriço do produto:

O nossoInPAs placas semicondutoras (fosfeto de ínio), conhecidas por suas excepcionais propriedades eletrônicas e optoeletrônicas, encontraram amplas aplicações em comunicações, óptica e eletrônica.Utilizaço de tecnologias avançadas de crescimento e processamento, asseguramos a alta pureza e uniformidade das nossas placas, proporcionando mobilidade eletrônica excepcional e baixa densidade de defeito para atender aos rigorosos requisitos das aplicações de ponta.Os wafers esto disponíveis em dimetros que variam de 2 a 4 polegadas, com espessura e rugosidade da superfície personalizáveis de acordo com as necessidades do cliente.Oferecemos garantia de qualidade e suporte técnico para garantir que cada wafer atenda s expectativas dos nossos clientesQuer sejam utilizados para a fabricaço de componentes de comunicaço de fibra óptica de alta velocidade ou servindo como substrato para células solares e sensores, os nossosInPAs bolachas so a sua escolha ideal.

Características:

• Alta mobilidade de elétrons:InPPossui uma mobilidade eletrônica excepcionalmente alta, o que significa que os elétrons podem se mover através do material a velocidades extremamente altas.Esta característica torna o InP ideal para dispositivos eletrónicos de alta velocidade e aplicações de alta frequência..
• Bandgap direto:InPé um semicondutor de banda directa, o que implica que pode converter diretamente fótons entre a banda de conduço e a banda de valência.Isto resulta numa eficiência muito elevada nos diodos láser e fotodetectores.
• Propriedades ópticas excepcionais:InPA sua transparência óptica é excelente, em especial na regio infravermelha, o que a torna amplamente utilizada em sistemas de óptica infravermelha e de comunicaço por fibra óptica.
• Alta condutividade térmica:InPapresenta uma condutividade térmica relativamente elevada, ajudando na efetiva dissipaço de calor nos dispositivos eletrónicos.
• Estabilidade química:InPé quimicamente estável e altamente resistente a muitas substncias químicas no ambiente.
• Compatibilidade:InPpode formar heterostruturas com outros materiais do grupo III-V, como GaAs e InGaAs, o que é crucial na fabricaço de dispositivos optoeletrônicos e microeletrônicos de alto desempenho.
• Resistência mecnica: embora mais frágil que o silício,InPAinda tem uma resistência mecnica suficiente para suportar as pressões dos processos de fabrico e embalagem.
• Resistência radiaço:InPTem uma forte resistência radiaço, tornando-o adequado para utilizaço em ambientes adversos, como aplicações espaciais.
• Em geral, estas característicasInPContribuir para o seu desempenho excepcional em aplicações optoeletrônicas de alta velocidade, de alta frequência e de alto desempenho.

Parmetros técnicos:

Aplicações:

• Comunicaço por fibra óptica:InPÉ um material indispensável para a fabricaço de equipamentos de comunicaço de fibra óptica de alta velocidade, tais como diodos laser e amplificadores ópticos.Capacidades de transmisso de dados de largura de banda elevada, tornando-a um componente fundamental na construço de redes de comunicaço modernas.
• Detectores fotográficos:InPO sistema de detecço de luz pode ser usado para criar fotodetectores que convertem sinais ópticos em sinais elétricos. Isso tem aplicações importantes em comunicaço de fibra óptica, imagem óptica e sensores.
• Células solares: A elevada mobilidade dos elétrons e as propriedades de bandaInPTornar-no um material ideal para a fabricaço de células solares eficientes, especialmente para aplicações espaciais e sistemas fotovoltaicos concentrados.
• Laser:InPÉ utilizado para produzir vários tipos de lasers semicondutores, incluindo os utilizados na comunicaço com comprimentos de onda ópticos específicos e os lasers utilizados em aplicações médicas.
• Dispositivos Eletrônicos de Alta Velocidade: devido sua alta mobilidade eletrônica,InPÉ o material escolhido para a fabricaço de transistores de alta velocidade e circuitos integrados, que so cruciais no radar, comunicaço e computaço.
• Óptica infravermelha:InPÉ transparente nas faixas de comprimento de onda infravermelhos, tornando-o adequado para a fabricaço de componentes ópticos infravermelhos, como lentes e janelas.

Personalizaço:

A ZMSH oferece serviços de personalizaço de bolinhas de nitrito de gálio com qualidade garantida.Algumas das características do nosso Gallium Nitride Wafer incluem:

• Marca: ZMSH
• Número do modelo:InP
• Local de origem: China
• Embalagem: Embalagem a vácuo, com reabastecimento de nitrogénio
• Elementos dopantes: antimônio (Sb), ínio (In), fósforo (P), etc.
• Densidade de defeito: ≤ 500 cm^-2
• Dimetro: 2-6 polegadas
• Condições de armazenagem: temperatura 20-25°C, umidade ≤ 60%

A nossa Wafer de Nitreto de Gállio também apresenta alta qualidade e fiabilidade, com rigoroso controlo de qualidade durante o processo de fabrico.Contacte-nos hoje para saber mais sobre a nossa Wafer de Nitreto de Gállio personalizável!

Apoio e Serviços:

Na XYZ Company, fornecemos suporte técnico e serviço para nossos produtos de Gallium Nitride Wafer.A nossa equipa de engenheiros e técnicos experientes está disponível para responder a quaisquer perguntas que possam ter sobre o seu produtoTambém estamos disponíveis para ajudar na soluço de problemas, fornecer peças de reposiço e oferecer serviços de manutenço de rotina.

Oferecemos suporte através do nosso portal de atendimento ao cliente online, e-mail ou telefone.Estamos felizes em ajudar e faremos o nosso melhor para garantir que o seu produto funcione corretamente.

Se precisar de mais suporte técnico, oferecemos um pacote de serviços adicionais que inclui documentos técnicos detalhados, acesso nossa equipe de engenharia e uma extenso de garantia para o seu produto.A nossa equipa de apoio técnico está aqui para ajudar e pode responder a quaisquer perguntas que possam ter.

Estamos orgulhosos da qualidade dos nossos produtos e serviços, e nos esforçamos para garantir que os nossos clientes estejam satisfeitos com a sua compra.Por favor, no hesite em contactar-nos..

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte da bolacha de nitrato de gálio:

As bolinhas de nitruro de gálio (GaN) so normalmente enviadas em recipientes fechados a vácuo ou fechados com gás nitrogênio.e data de fabricoDurante o transporte, os contentores devem ser embalados em papel de borracha ou espuma de poliestireno para amortecimento adicional.

Perguntas frequentes:

• P:Qual é a marca da Gallium Nitride Wafer?
  A:A marca da Gallium Nitride Wafer é ZMSH.
• P:Qual é o número de modelo da Gallium Nitride Wafer?
  A:O número de modelo da bolacha de nitreto de gálio é InP.
• P:Onde é fabricado o Gallium Nitride Wafer?
  A:O Gallium Nitride Wafer é fabricado na China.
• P:Quais so as utilizações da Gallium Nitride Wafer?
  A:O Gallium Nitride Wafer é usado para várias aplicações, como energia e eletrônica de alta frequência, optoeletrônica e dispositivos de microondas.
• P:Quais so as vantagens da Gallium Nitride Wafer?
  A:O Gallium Nitride Wafer tem muitas vantagens, incluindo maior tenso de quebra, alta condutividade térmica e elétrica e operaço a alta temperatura.