Resumo

 
O 4-HSemi-isolador de SiCO substrato é um material semicondutor de alto desempenho com uma ampla gama de aplicações.Este substrato apresenta características elétricas excepcionais, incluindo alta resistividade e baixa concentraço de portador, tornando-se uma escolha ideal para dispositivos eletrônicos de radiofrequência (RF), microondas e potência.
 
Principais características do 4-HSemi-isolador de SiCO substrato possui propriedades elétricas altamente uniformes, baixa concentraço de impurezas e excelente estabilidade térmica.Estes atributos tornam-no adequado para a fabricaço de dispositivos de potência de RF de alta frequência, sensores eletrónicos de alta temperatura e equipamento eletrónico de microondas.Sua alta resistência ao campo de ruptura e excelente condutividade térmica também o posicionam como o substrato preferido para dispositivos de alta potência.
 
Além disso, o 4-HSemi-isolador de SiCO substrato demonstra uma excelente estabilidade química, o que lhe permite operar em ambientes corrosivos e ampliar a sua gama de aplicações.Desempenha um papel fundamental em indústrias como a fabricaço de semicondutores, telecomunicações, defesa e experimentos de física de alta energia.
 
Em resumo, o 4-HSemi-isolador de SiCum substrato, com as suas excelentes propriedades eléctricas e térmicas,é muito promissor no domínio dos semicondutores e constitui uma base fiável para a produço de dispositivos eletrónicos de alto desempenho.
 

Propriedades

Dispositivos eletrónicos de alta potência:Semi-isolador de SiCÉ ideal para dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência devido sua alta tenso de quebra e alta condutividade térmica.
 
Dispositivos de RF: devido sua elevada condutividade térmica e baixa perda,Semi-isolador de SiCé utilizado em dispositivos de RF, tais como amplificadores de potência de microondas e transistores de RF.
 
Dispositivos optoeletrônicos:Semi-isolador de SiCtambém apresenta excelentes propriedades optoeletrônicas, tornando-o adequado para a fabricaço de LEDs, lasers e fotodetectores.
 
Dispositivos eletrónicos em ambientes de alta temperatura: o elevado ponto de fuso e a excelente estabilidade química do material tornam este material extremamente resistente corroso.Semi-isolador de SiCamplamente utilizado em dispositivos eletrónicos que operam em ambientes de alta temperatura, como no controlo de processos aeroespaciais, automotivos e industriais.
 
Dispositivos resistentes radiaço:Semi-isolador de SiCÉ altamente resistente radiaço, tornando-o adequado para dispositivos eletrónicos resistentes radiaço em reactores nucleares e aplicações espaciais.
 
Sensores: as propriedades únicas deSemi-isolador de SiCO material é adequado para a fabricaço de vários tipos de sensores, tais como sensores de temperatura, sensores de presso e sensores químicos.
 

Características:

Alta resistência:Semi-isolador de SiCPossui uma resistência muito elevada, o que significa que pode impedir efetivamente o fluxo de corrente elétrica, tornando-o adequado para utilizaço como camada isolante em dispositivos eletrónicos de alta potência
 
Alta condutividade térmica:SiCO material tem uma condutividade térmica muito elevada, o que ajuda a dissipar o calor dos dispositivos de forma rápida e eficiente, melhorando assim o desempenho e a fiabilidade dos dispositivos.
 
Alta tenso de ruptura:Semi-isolador de SiCtem uma tenso de ruptura muito elevada, o que significa que pode funcionar em aplicações de alta tenso sem sofrer uma ruptura elétrica.
 
Excelente estabilidade química:SiCpermanece quimicamente estável numa ampla gama de temperaturas e é altamente resistente maioria dos ácidos e bases.
 
Ponto de fuso elevado:SiCTem um ponto de fuso excepcionalmente elevado, aproximadamente 2.730°C (4.946°F), permitindo-lhe manter a estabilidade em ambientes de altas temperaturas extremas.
 
Tolerncia radiaço: semi-isolanteSiCapresenta uma elevada tolerncia radiaço, o que o torna de excelente desempenho em reactor nuclear e aplicações espaciais.
 
Excelentes propriedades mecnicas:SiCÉ um material muito duro, com excelente resistência ao desgaste e alta resistência.
 
Semicondutor de banda larga:SiCÉ um semicondutor de banda larga, com alta mobilidade de elétrons e baixa corrente de fuga, o que resulta em desempenho excepcional em dispositivos eletrônicos de alta temperatura e alta frequência.
 

Embalagem e transporte:

Os Wafers de Carbono de Silício (SiC) so fatias finas de material semicondutor usado principalmente para eletrônicos de potência.É importante seguir as instruções de embalagem e transporte adequadas.

Embalagem

• As bolinhas devem ser enviadas numa embalagem segura ESD.
• Cada bolacha deve ser enrolada num material seguro para o ESD, tal como uma espuma ESD ou um envoltório de bolhas.
• A embalagem deve ser selada com fita de segurança ESD.
• A embalagem deve ser rotulada com o símbolo de segurança ESD e o adesivo "Fragile".