Wafer GaP de 2 polegadas com LOCALIZAÇÃO/LONGIDADE EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD Mobilidade Min 100

Wafer GaP 2 polegadas com OF Localizaço/Length EJ 0-1-1 / 16±1mm LED LD Mobilidade Min 100

Descriço do produto:

Uma bolacha GaP é um substrato semicondutor usado principalmente na fabricaço de vários dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos.As placas de fosfeto de gálio (GaP) apresentam propriedades ópticas e eletrónicas excepcionais que as tornam indispensáveis no domínio da tecnologia dos semicondutoresEstes wafers so conhecidos pela sua capacidade de gerar luz em diferentes espectros, permitindo a produço de LEDs e diodos laser em cores que vo do vermelho, verde e amarelo.

A banda larga de aproximadamente 2,26 electronvolts (eV) permite que as placas GaP absorvam eficientemente comprimentos de onda específicos de luz.tornando o GaP uma excelente escolha para fotodetectores, células solares e outros dispositivos que requerem absorço de luz adaptada.

Além disso, o GaP demonstra uma robusta condutividade electrónica e estabilidade térmica, tornando-o adequado para dispositivos e aplicações electrónicos de alta frequência em que a gesto térmica é essencial.

As placas de GaP no só servem como material de base para a fabricaço de dispositivos, mas também funcionam como substratos para o crescimento epitaxial de outros materiais semicondutores.A sua estabilidade química e os parmetros de rede relativamente correspondentes proporcionam um ambiente favorável para a deposiço e fabricaço de camadas de semicondutores de alta qualidade.

Em essência, as placas de GaP so substratos de semicondutores altamente versáteis, essenciais na produço de LEDs, diodos laser, dispositivos eletrônicos de alta frequência,e um espectro de componentes optoeletrônicos devido sua óptica superior, propriedades eletrónicas e térmicas.

Características:

• Nome do produto: Wafer GaP de substrato de semicondutores
• Orifícios de óxido de silício ultraespessos
• Wafer de óxido de silício
• Tipo de conduço da wafer GaP: S-C-N
• Conductividade
• Mobilidade: Min 100
• ngulo de orientaço da wafer GaP: N/A
• Contagem de partículas da Wafer GaP: N/A
• Espessura: Min 175 Max 225
• Conductividade elétrica: o GaP demonstra uma boa condutividade elétrica.Contribuir para a sua utilizaço em dispositivos e aplicações eletrónicos de alta frequência em que é essencial um desempenho eletrónico fiável.
• Estabilidade térmica: O GaP apresenta uma notável condutividade térmica e estabilidade, tornando-o adequado para aplicações que exigem uma gesto térmica eficaz.
• Funcionalidade do substrato: as placas GaP servem no só como material de base para a fabricaço do dispositivo, mas também como substratos para o crescimento epitaxial,que permitem a deposiço de camadas adicionais de semicondutoresA sua compatibilidade com outros materiais e os parmetros de rede relativamente correspondentes facilitam o crescimento de camadas de semicondutores de alta qualidade.

Parmetros técnicos:

Aplicações:

• Fabricaço de LEDs e Dispositivos a Laser: as placas GaP so utilizadas na fabricaço de diodos emissores de luz (LEDs) e diodos a laser (LDs).As suas propriedades ópticas excepcionais permitem a produço de luz em vários comprimentos de onda, como o vermelho.Isso torna o GaP vital para aplicações em iluminaço, exibições, luzes indicadoras e dispositivos a laser.
• Fotodetectores de Wafer GaP: O GaP é empregado na fabricaço de fotodetectores devido s suas capacidades superiores de absorço de luz em comprimentos de onda específicos.Esses detectores so utilizados para receber e detectar sinais de luz dentro de faixas de onda específicas, incluindo a luz infravermelha.
• Células solares GaP Wafer: as células solares GaP, embora potencialmente tenham uma eficiência menor em comparaço com outros materiais, apresentam boas propriedades de absorço de luz dentro de certos espectros.Isto torna-os adequados para faixas de comprimento de onda específicas em aplicações fotovoltaicas.
• Dispositivos semicondutores: O GaP, como material semicondutor, é utilizado na preparaço de dispositivos ópticos projetados para faixas de comprimento de onda específicas.devido s suas características electrónicas, o GaP é utilizado no fabrico de dispositivos eletrónicos de alta frequência.
• Em geral, as placas GaP desempenham um papel crucial nos domínios da optoeletrónica e dos dispositivos semicondutores.e dispositivos ópticos concebidos para faixas de comprimento de onda específicas.

Personalizaço:

Marca: ZMSH

Número de modelo: GaP Wafer

Local de origem: China

Max:10

Material: GaP

IF Localizaço/Longo: EJ[0-1-1]/7±1 mm

Grau: A

Suplemento: S

Fornecemos serviços personalizados para ZMSH GaP Wafer com tecnologia de filme fino e eletro-oxidaço, usando material semicondutor de alta qualidade.

Apoio e Serviços:

Fornecemos suporte técnico e serviço para nossos produtos de Substrato de Semicondutores.

• Linha de apoio técnico 24 horas por dia
• Atualizações gratuitas de software e firmware
• Serviços de manutenço e reparaço no local
• Fórum de apoio técnico em linha
• Diagnóstico e soluço de problemas remotos
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