GaP Wafer, Gallium Phosphide Orientaço de cristal único (111)A
0°±0.2 Células solares
Descriço do produto:
Gallium Phosphide GaP, um semicondutor importante de propriedades
elétricas únicas como outros materiais compostos III-V, cristaliza
na estrutura cúbica ZB termodinmicamente estável,é um material
cristalino semitransparente de cor laranja-amarelo com um intervalo
de banda indireta de 2.26 eV (300K), que é sintetizado a partir de
gálio e fósforo de alta pureza de 6N 7N, e transformado em cristal
único pela técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).O cristal
de fosfeto de gálio é dopado com enxofre ou telúrio para obter um
semicondutor de tipo n, e zinco dopado como condutividade de tipo p
para fabricaço posterior em wafer desejado, que tem aplicações em
sistemas ópticos, dispositivos eletrônicos e outros
optoeletrônicos.A bolacha GaP de cristal único pode ser preparada
Epi-Ready para o seu LPEAplicaço epitaxial de MOCVD e MBE.A
condutividade n-tipo ou no dopada na Western Minmetals (SC)
Corporation pode ser oferecida em tamanho 2′′ e 3′′ (50mm), 75 mm
de dimetro), orientaço < 100>, < 111> com acabamento de
superfície de processo de corte, polir ou epi-pronto.
Características:
- Ampla faixa de banda adequada para emitir comprimentos de onda
específicos de luz.
- GaP Wafer Excelentes propriedades ópticas que permitem a produço de
LEDs de várias cores.
- Alta eficiência na geraço de luzes vermelhas, amarelas e verdes
para LEDs.
- Capacidade superior de absorço de luz em comprimentos de onda
específicos.
- Boa condutividade elétrica que facilita os dispositivos eletrônicos
de alta frequência.
- Wafer GaP Estabilidade térmica adequada para um desempenho fiável.
- Estabilidade química adequada para processos de fabrico de
semicondutores.
- GaP Wafer Parmetros favoráveis da rede para o crescimento epitaxial
de camadas adicionais.
- Capacidade de servir como substrato para deposiço de
semicondutores.
- Wafer GaP Material robusto com alta condutividade térmica.
- Excelentes capacidades optoeletrônicas para fotodetectores.
- Versatilidade na concepço de dispositivos ópticos para faixas de
comprimento de onda específicas.
- GaP Wafer Aplicaço potencial em células solares para absorço de luz
adaptada.
- Estruturas de rede relativamente combinadas para o crescimento de
semicondutores de qualidade.
- Papel essencial na fabricaço de LEDs, diodos laser e fotodetectores
devido s suas propriedades ópticas e elétricas.
Parmetros técnicos:
Parmetro | Valor |
---|
Método de crescimento | LEC |
Arco-íris | Max:10 |
Dimetro | 500,6 ± 0,3 mm |
Contagem de partículas | N/A |
ngulo de orientaço | N/A |
TTV/TIR | Max:10 |
Suplementos | S |
Marcaço a laser | N/A |
Orientaço | (111) A 0°±0.2 |
Mobilidade | Min:100 |
Material semicondutor | Substrato de semicondutores |
Oxidaço superficial | Wafer de óxido de silício ultra espessa |
Aplicações:
- Fabricaço de LEDs GaP Wafer para a produço de luzes vermelhas,
amarelas e verdes.
- Fabricaço de diodos GaP Wafer Laser para diversas aplicações
ópticas.
- Desenvolvimento de fotodetectores GaP Wafer para faixas de
comprimento de onda específicas.
- Utilizaço de Wafer GaP em sensores optoeletrônicos e sensores de
luz.
- GaP Wafer Integraço de células solares para absorço de espectro de
luz personalizada.
- GaP Wafer Produço de painéis de exibiço e luzes indicadoras.
- GaP Wafer Contribuiço para dispositivos eletrónicos de alta
frequência.
- Formaço de Wafer GaP de dispositivos ópticos para faixas de
comprimento de onda distintas.
- GaP Wafer Utilizaço em telecomunicações e sistemas de comunicaço
óptica.
- GaP Wafer Desenvolvimento de dispositivos fotónicos para
processamento de sinal.
- Incorporaço de Wafer GaP em sensores infravermelhos (IR) e
ultravioleta (UV).
- Implementaço de Wafer GaP em dispositivos de detecço biomédica e
ambiental.
- Aplicaço de Wafer GaP em sistemas ópticos militares e
aeroespaciais.
- Integraço da Wafer GaP na espectroscopia e na instrumentaço
analítica.
- Utilizaço de Wafer GaP na investigaço e desenvolvimento de
tecnologias emergentes.
Personalizaço:
Serviço de substrato de semicondutores personalizado
Marca: ZMSH
Número do modelo: Wafer GaP
Local de origem: China
TTV/TIR: Max:10
Max:10
OF Localizaço/Longo: EJ[0-1-1]/ 16±1 mm
Mobilidade: Min:100
Resistência: Min:0.01 Max:0.5 Ω.cm
Características:
• Utilizaço da tecnologia do filme fino
• Wafer de óxido de silício
• Electro-oxidaço
• Serviço personalizado
Apoio e Serviços:
Apoio técnico e serviços de substratos de semicondutores
Fornecemos uma ampla gama de suporte técnico e serviços para os
nossos produtos de Substrato de Semicondutores.
Quer precise de aconselhamento sobre a selecço de produtos,
instalaço, ensaios ou qualquer outra questo técnica, estamos aqui
para ajudar.
- Selecço e avaliaço dos produtos
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- Soluço de problemas
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