GaP Wafer Gallium Phosphide Orientação de cristal único (111)A 0°±0.2 Células solares

Espessura:Min:175 Max:225
dopante:S
Superfície de acabamento:Polido
contagem de partícula:N/A
Arredondamento da borda:0.250mmR
IF Localização/Longo:EJ[0-1-1]/ 7±1 mm
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GaP Wafer, Gallium Phosphide Orientaço de cristal único (111)A 0°±0.2 Células solares

Descriço do produto:

Gallium Phosphide GaP, um semicondutor importante de propriedades elétricas únicas como outros materiais compostos III-V, cristaliza na estrutura cúbica ZB termodinmicamente estável,é um material cristalino semitransparente de cor laranja-amarelo com um intervalo de banda indireta de 2.26 eV (300K), que é sintetizado a partir de gálio e fósforo de alta pureza de 6N 7N, e transformado em cristal único pela técnica Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).O cristal de fosfeto de gálio é dopado com enxofre ou telúrio para obter um semicondutor de tipo n, e zinco dopado como condutividade de tipo p para fabricaço posterior em wafer desejado, que tem aplicações em sistemas ópticos, dispositivos eletrônicos e outros optoeletrônicos.A bolacha GaP de cristal único pode ser preparada Epi-Ready para o seu LPEAplicaço epitaxial de MOCVD e MBE.A condutividade n-tipo ou no dopada na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecida em tamanho 2′′ e 3′′ (50mm), 75 mm de dimetro), orientaço < 100>, < 111> com acabamento de superfície de processo de corte, polir ou epi-pronto.

Características:

  • Ampla faixa de banda adequada para emitir comprimentos de onda específicos de luz.
  • GaP Wafer Excelentes propriedades ópticas que permitem a produço de LEDs de várias cores.
  • Alta eficiência na geraço de luzes vermelhas, amarelas e verdes para LEDs.
  • Capacidade superior de absorço de luz em comprimentos de onda específicos.
  • Boa condutividade elétrica que facilita os dispositivos eletrônicos de alta frequência.
  • Wafer GaP Estabilidade térmica adequada para um desempenho fiável.
  • Estabilidade química adequada para processos de fabrico de semicondutores.
  • GaP Wafer Parmetros favoráveis da rede para o crescimento epitaxial de camadas adicionais.
  • Capacidade de servir como substrato para deposiço de semicondutores.
  • Wafer GaP Material robusto com alta condutividade térmica.
  • Excelentes capacidades optoeletrônicas para fotodetectores.
  • Versatilidade na concepço de dispositivos ópticos para faixas de comprimento de onda específicas.
  • GaP Wafer Aplicaço potencial em células solares para absorço de luz adaptada.
  • Estruturas de rede relativamente combinadas para o crescimento de semicondutores de qualidade.
  • Papel essencial na fabricaço de LEDs, diodos laser e fotodetectores devido s suas propriedades ópticas e elétricas.
 

Parmetros técnicos:

ParmetroValor
Método de crescimentoLEC
Arco-írisMax:10
Dimetro500,6 ± 0,3 mm
Contagem de partículasN/A
ngulo de orientaçoN/A
TTV/TIRMax:10
SuplementosS
Marcaço a laserN/A
Orientaço(111) A 0°±0.2
MobilidadeMin:100
Material semicondutorSubstrato de semicondutores
Oxidaço superficialWafer de óxido de silício ultra espessa

Aplicações:

  1. Fabricaço de LEDs GaP Wafer para a produço de luzes vermelhas, amarelas e verdes.
  2. Fabricaço de diodos GaP Wafer Laser para diversas aplicações ópticas.
  3. Desenvolvimento de fotodetectores GaP Wafer para faixas de comprimento de onda específicas.
  4. Utilizaço de Wafer GaP em sensores optoeletrônicos e sensores de luz.
  5. GaP Wafer Integraço de células solares para absorço de espectro de luz personalizada.
  6. GaP Wafer Produço de painéis de exibiço e luzes indicadoras.
  7. GaP Wafer Contribuiço para dispositivos eletrónicos de alta frequência.
  8. Formaço de Wafer GaP de dispositivos ópticos para faixas de comprimento de onda distintas.
  9. GaP Wafer Utilizaço em telecomunicações e sistemas de comunicaço óptica.
  10. GaP Wafer Desenvolvimento de dispositivos fotónicos para processamento de sinal.
  11. Incorporaço de Wafer GaP em sensores infravermelhos (IR) e ultravioleta (UV).
  12. Implementaço de Wafer GaP em dispositivos de detecço biomédica e ambiental.
  13. Aplicaço de Wafer GaP em sistemas ópticos militares e aeroespaciais.
  14. Integraço da Wafer GaP na espectroscopia e na instrumentaço analítica.
  15. Utilizaço de Wafer GaP na investigaço e desenvolvimento de tecnologias emergentes.

Personalizaço:

Serviço de substrato de semicondutores personalizado

Marca: ZMSH

Número do modelo: Wafer GaP

Local de origem: China

TTV/TIR: Max:10

Max:10

OF Localizaço/Longo: EJ[0-1-1]/ 16±1 mm

Mobilidade: Min:100

Resistência: Min:0.01 Max:0.5 Ω.cm

Características:
• Utilizaço da tecnologia do filme fino
• Wafer de óxido de silício
• Electro-oxidaço
• Serviço personalizado

 

Apoio e Serviços:

Apoio técnico e serviços de substratos de semicondutores

Fornecemos uma ampla gama de suporte técnico e serviços para os nossos produtos de Substrato de Semicondutores.

Quer precise de aconselhamento sobre a selecço de produtos, instalaço, ensaios ou qualquer outra questo técnica, estamos aqui para ajudar.

  • Selecço e avaliaço dos produtos
  • Instalaço e ensaios
  • Soluço de problemas
  • Optimizaço do desempenho
  • Formaço e educaço sobre produtos

A nossa equipa de engenheiros e técnicos experientes está disponível para responder a quaisquer perguntas e fornecer o melhor aconselhamento e apoio técnico.Contacte-nos hoje e deixe-nos ajudá-lo a encontrar a melhor soluço para as suas necessidades.

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GaP Wafer Gallium Phosphide Orientação de cristal único (111)A 0°±0.2 Células solares

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