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6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de silício espessura da bolacha 20um 10um-25um Substrato de cristal
A bolacha de dióxido de silício SIO2, vital na produço de semicondutores, apresenta uma espessura que varia de 10 μm a 25 μm e está disponível em dimetros de 6 polegadas e 8 polegadas.Serve principalmente como uma camada de isolamento essencial, desempenha um papel fundamental na microeletrónica, oferecendo uma elevada resistência dielétrica.Esta bolacha garante um desempenho óptimo em várias aplicaçõesA sua uniformidade e pureza tornam-na uma escolha ideal para dispositivos ópticos, circuitos integrados e microeletrónica.facilita processos de fabrico precisos de dispositivosA sua versatilidade estende-se ao apoio aos avanços nos domínios tecnológicos,assegurando a fiabilidade e a funcionalidade em todo o espectro de aplicações na fabricaço de semicondutores e indústrias conexas.
As bolinhas de dióxido de silício têm aplicações abrangentes nos domínios da tecnologia e da ciência, desempenhando papéis cruciais na fabricaço de semicondutores, na óptica, nas ciências biomédicas,e tecnologias de sensoresCom os avanços tecnológicos e a crescente procura, as perspectivas de desenvolvimento das placas de SiO2 continuam a ser muito promissoras.
A procura contínua de dispositivos electrónicos mais pequenos, mais rápidos e mais eficientes energéticamente continuará a impulsionar a evoluço da tecnologia de fabrico de semicondutores.como um componente fundamental dentro desta paisagem, so susceptíveis de ser continuamente melhorados e refinados através da introduço de novos materiais, processos e desenhos, atendendo s necessidades do mercado em constante expanso.
Em essência, as placas de SiO2 continuam a ter grandes perspectivas de desenvolvimento nos domínios dos semicondutores e da microeletrónica, mantendo o seu papel fundamental em várias indústrias de alta tecnologia.
Parmetro | Valor |
---|---|
Ponto de ebuliço | 2,230° C (4,046° F) |
Orientaço | Capacidade de produço |
Tolerncia de espessura de óxido | ± 5% (ambos lados) |
Uniformidade no plano e entre planos | ± 0,5% |
Índice de refraço | 550nm de 1,4458 ± 0.0001 |
Espessura | 20um, 10um, 25um |
Densidade | 2533 Kg/m-3 |
Peso Molecular | 60.09 |
Coeficiente de expanso | 0.5 × 10^-6/°C |
Ponto de fuso | 1,600° C (2,912° F) |
Aplicações | Tecnologia de filme fino, wafer de óxido de silício, tecnologia de substrato |
A ZMSH oferece serviços personalizados para Substrato de Semicondutores.A nossa marca é ZMSH., e o nosso número de modelo é wafer de óxido de silício ultra espesso.e a orientaço é <100><11><110>Além disso, a nossa uniformidade In-plane e interplane é ± 0,5%, e o ponto de ebuliço é 2,230 ° C (4,046 ° F).
A nossa empresa fornece suporte técnico e serviços para produtos de substrato semicondutor.soluço de problemas e manutenço destes produtosOferecemos uma gama de serviços, desde suporte no local até assistência remota. Também oferecemos formaço e seminários para ajudar os nossos clientes a utilizarem os produtos corretamente e a tirar o máximo proveito deles.Esforçamo-nos por manter os mais elevados padrões de qualidade para garantir que os nossos clientes recebam o melhor serviço possívelSe tiver alguma dúvida ou preocupaço, no hesite em contactar-nos.
Embalagem e transporte de um substrato de semicondutores:
Os substratos de semicondutores devem ser cuidadosamente embalados e enviados para evitar danos e contaminaço.e revestido por um revestimento de bolhas protetor. A embalagem deve ser rotulada com um rótulo de aviso indicando que o conteúdo é de componentes eletrónicos sensíveis..
A caixa deve ser assinalada com as informações de transporte adequadas e com um rótulo "Fragile" para garantir que a embalagem é manuseada com cuidado.Deve ento ser colocado num contentor de transporte de proteço e enviado através de um transportador de carga confiável.
R: Um substrato de semicondutores é uma bolacha fina de material, tipicamente um semicondutor como o silício, sobre o qual circuitos integrados ou outros componentes eletrônicos so construídos.
O nosso substrato semicondutor é ZMSH.
R: O número de modelo do nosso Substrato Semicondutor é uma bolacha de óxido de silício ultra espessa.
R: O nosso substrato de semicondutores é da China.
R: O principal objectivo de um substrato semicondutor é fornecer uma base para criar circuitos integrados e outros componentes electrónicos.