Camada de óxido térmico SiO2 Espessura da bolacha 20um Sistema de comunicação óptica MEMS
Quantidade mínima de encomenda:5
Condições de pagamento:T/T,
Tempo de entrega:2-4 semanas
Ponto de ebulição:2,230° C (4,046° F)
SORRISOS:O=[Si]=O
Tolerância de espessura de óxido:+/- 5% (ambos lados)
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Shanghai Shanghai China
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Rm5-616, NO.851, estrada de Dianshanhu; Área de Qingpu; shanghai city//201799
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Detalhes do produto
Wafer SiO2 Laver de óxido térmico Espessura 20um+5% Sistema de comunicaço óptica MEMS
Descriço do produto:
A bolacha de dióxido de silício SIO2 serve como um elemento fundamental na fabricaço de semicondutores.Este substrato crucial está disponível em dimetros de 6 e 8 polegadasA partir daí, o material é utilizado para a fabricaço de produtos de alta resistência dieletrica.O seu índice de refraço, aproximadamente 1,4458 a 1550 nm, garante um desempenho ideal em diversas aplicações.
Reconhecida por sua uniformidade e pureza, esta bolacha é uma escolha ideal para dispositivos ópticos, circuitos integrados e microeletrônicos.As suas propriedades facilitam processos de fabricaço de dispositivos precisos e apoiam os avanços tecnológicosAlém do seu papel fundamental na fabricaço de semicondutores, estende a sua fiabilidade e funcionalidade a um espectro de aplicações, garantindo estabilidade e eficiência.
Com os seus atributos excepcionais, a bolacha de dióxido de silício SIO2 continua a impulsionar inovações na tecnologia de semicondutores, permitindo avanços em campos como circuitos integrados,OptoeletrónicaAs suas contribuições para tecnologias de ponta sublinham a sua importncia como material fundamental na produço de semicondutores.
Características:
- Nome do produto: Substrato de semicondutores
- Índice de refraço: 550nm de 1,4458 ± 0.0001
- Ponto de ebuliço: 2,230° C
- Áreas de aplicaço: Fabricaço de semicondutores, microelectrónica, dispositivos ópticos, etc.
- Espessura: 20 mm, 10 mm, 25 mm
- Peso molecular: 60.09
- Material semicondutor: Sim
- Material do substrato: Sim
- Aplicações: Fabricaço de semicondutores, Microelectrónica, Dispositivos ópticos, etc.
Parmetros técnicos:
| Parmetro | Especificações |
| Espessura | 20um, 10um, 25um |
| Densidade | 2533 Kg/m-3 |
| Tolerncia de espessura de óxido | +/- 5% (ambos lados) |
| Áreas de aplicaço | Fabricaço de semicondutores, microeletrónica, dispositivos ópticos, etc. |
| Ponto de fuso | 1,600° C (2,912° F) |
| Conductividade térmica | Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K |
| Índice de refraço | Aproximadamente 1.44 |
| Peso Molecular | 60.09 |
| Coeficiente de expanso | 0.5 × 10^-6/°C |
| Índice de refraço | 550nm de 1,4458 ± 0.0001 |
| Orifícios de óxido de silício ultraespessos | Aplicações |
| Oxidaço superficial | Wafer ultrafinos |
| Conductividade térmica | Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K |
Aplicações:
- Transistores de película fina:Empregado na produço de dispositivos TFT.
- Células solares:Utilizado como substrato ou camada isolante na tecnologia fotovoltaica.
- MEMS (Sistemas Micro-Electro-Mecnicos):Crucial para o desenvolvimento de dispositivos MEMS.
- Sensores químicos:Utilizado para detecço química sensível.
- Dispositivos biomédicos:Empregado em várias aplicações biomédicas.
- Energia fotovoltaica:Apoia a tecnologia de células solares para converso de energia.
- Passivaço superficial:Auxílios na protecço da superfície dos semicondutores.
- Guia de ondas:Usado em comunicaço óptica e fotônica.
- Fibras ópticas:Integrado em sistemas de comunicaço óptica.
- Sensores de gás:Empregado na detecço e análise de gases.
- Nanostructuras:Utilizado como substrato para o desenvolvimento de nanoestruturas.
- Capacitores:Utilizado em várias aplicações elétricas.
- Sequenciamento de ADN:Apoia aplicações na investigaço genética.
- Biosensores:Usado para análises biológicas e químicas.
- Microfluídica:Integral na fabricaço de dispositivos microfluídicos.
- Diodos emissores de luz (LED):Suporta a tecnologia LED em várias aplicações.
- Microprocessadores:Essencial para a produço de dispositivos de microprocessadores.
Substrato de semicondutores
Marca:ZMSH
Número do modelo:Orifícios de óxido de silício ultraespessos
Local de origem:China
O nosso substrato semicondutor é projetado com alta condutividade térmica, oxidaço superficial e wafer de óxido de silício ultra espesso.4 W/(m·K) @ 300K e ponto de fuso de 1O ponto de ebuliço é 2.230° C e a orientaço é <100><11><110>. O peso molecular deste substrato é 60.09.
Apoio e Serviços:
Fornecemos suporte técnico e serviço para o nosso produto de Substrato de Semicondutores.Também podemos fornecer assistência na soluço de problemas que você encontrar durante o uso do produtoTambém oferecemos assistência remota para aqueles que precisam dela. Nossa equipe de suporte está disponível durante o horário comercial normal, e podemos ser alcançados por telefone, e-mail ou através do nosso site.
Embalagem e transporte:
Embalagem e transporte de substrato de semicondutores:
- Os produtos embalados devem ser manuseados com cuidado, utilizando sempre que possível uma cobertura protetora, como borracha ou espuma.
- Se possível, use várias camadas de cobertura protetora.
- Marque a embalagem com o conteúdo e o destino.
- Envie o pacote usando um serviço de envio apropriado.
Perguntas frequentes:
- P: Qual é a marca do Substrato de Semicondutores?
- A: A marca é ZMSH.
- P: Qual é o número de modelo do Substrato de Semicondutores?
- R: O número do modelo é wafer de óxido de silício ultra espesso.
- P: Onde é feito o Substrato de Semicondutores?
- R: É feito na China.
- P: Qual é o propósito do substrato semicondutor?
- R: O substrato semicondutor é utilizado na fabricaço de circuitos integrados, sistemas microeletromecnicos e outras microestruturas.
- P: Qual é a característica do substrato semicondutor?
- R: As características do Substrato Semicondutor incluem baixo coeficiente de expanso térmica, alta condutividade térmica, alta resistência mecnica e excelente resistência temperatura.
Camada de óxido térmico SiO2 Espessura da bolacha 20um Sistema de comunicação óptica MEMS
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