4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas wafers SOI compatível com CMOS estrutura de três camadas

Quantidade mínima de encomenda:5
Condições de pagamento:T/T
Tempo de entrega:2-4 semanas
Conductividade térmica:Relativamente elevada condutividade térmica
Vantagens de desempenho:Características elétricas superiores, redução de tamanho, transmissão transversal minimizada entre d
Espessura da camada ativa:Normalmente variam de algumas a várias dezenas de nanômetros (nm)
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Wafers SOI 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, compatível com CMOS estrutura de três camadas

Descriço do produto:

 

O SOI (Silicon on Insulator) é uma maravilha pioneira no campo da tecnologia de semicondutores, revolucionando o panorama da eletrónica avançada.Esta bolacha de ponta incorpora um trifecto de inovaço, oferecendo desempenho incomparável, eficiência e versatilidade.

 

No seu núcleo encontra-se uma estrutura de três camadas. A camada superior apresenta uma camada de silício de cristal único, conhecida como a camada de dispositivo, que serve como a base para circuitos integrados.Abaixo dela reside a camada de óxido enterrado, fornecendo isolamento e isolamento entre a camada superior de silício e a base.formando o substrato sobre o qual esta obra-prima tecnológica é construída.

 

Uma das características destacadas da wafer SOI é a sua compatibilidade com a tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor).Esta compatibilidade integra perfeitamente os benefícios do SOI nos processos de fabrico de semicondutores existentes, oferecendo um caminho para um melhor desempenho sem perturbar as metodologias de produço estabelecidas.

 

A composiço inovadora de três camadas da wafer SOI traz uma série de vantagens: reduz drasticamente o consumo de energia, devido s propriedades isolantes da camada de óxido enterrado,que minimiza a capacidade do dispositivo eletrônico e melhora a velocidade e a eficiência do circuitoEsta reduço do consumo de energia no só melhora a vida útil da bateria nos dispositivos portáteis, mas também contribui para uma operaço de eficiência energética em uma multiplicidade de aplicações.

 

Além disso, a camada de isolamento da wafer SOI confere uma resistência superior radiaço, tornando-a excepcionalmente adequada para aplicações em ambientes agressivos e de alta radiaço.A sua capacidade de atenuar os efeitos da radiaço garante a fiabilidade e a funcionalidade, mesmo em condições extremas.

 

A estrutura de três camadas também diminui a interferência do sinal, otimizando o desempenho dos circuitos integrados, reduzindo a transmisso entre os componentes.Pavimentaço do caminho para uma maior eficiência no processamento de dados e na comunicaço.

 

Além disso, a camada de isolamento ajuda na dissipaço de calor eficiente, dispersando efetivamente o calor dentro da bolacha.assegurar o desempenho sustentado e a longevidade dos circuitos integrados.

 

Em concluso, a wafer SOI representa uma mudança de paradigma na tecnologia de semicondutores.abre um reino de possibilidades para eletrônicos de alto desempenhoDe eletrónica de consumo eficiente em termos de energia a soluções robustas para a aeroespacial e a defesa,O projeto inovador e as vantagens multifacetadas da wafer SOI tornam-na uma pedra angular do mundo em constante evoluço da inovaço em semicondutores..

Características:

Estrutura de dupla camada: a wafer SOI é composta por três camadas, sendo a camada superior a camada de silício de cristal único (camada de dispositivo),A camada média é a camada isolante (camada de óxido enterrado), sendo a camada inferior o substrato de silício (camada de manuseio).

 

Baixo consumo de energia: devido presença da camada isolante, a bolacha SOI apresenta menor consumo de energia em dispositivos eletrônicos.A camada de isolamento reduz o efeito de acoplamento de capacitncia entre dispositivos eletrônicos, aumentando assim a velocidade e a eficiência dos circuitos integrados.

 

Resistência radiaço: a camada isolante da wafer SOI aumenta a resistência do silício radiaço, permitindo um melhor desempenho em ambientes de alta radiaço,tornando-o adequado para aplicações específicas.

 

Reduço da transmisso: A presença da camada isolante ajuda a reduzir a transmisso entre os sinais, melhorando o desempenho dos circuitos integrados.

Dispensaço de calor: A camada isolante da bolacha SOI contribui para a difuso de calor, aumentando a eficiência de dissipaço de calor dos circuitos integrados, ajudando a prevenir o superaquecimento do chip.

 

Alta integraço e desempenho: a tecnologia SOI permite que os chips tenham uma maior integraço e desempenho, permitindo que os dispositivos eletrônicos acomodem mais componentes dentro do mesmo tamanho.

 

Compatibilidade CMOS: as placas SOI so compatíveis com a tecnologia CMOS, beneficiando os processos de fabricaço de semicondutores existentes.

Fabricaço de placas de SOI

 

Parmetros técnicos:

ParmetrosValores
Espessura da camada isolanteAproximadamente várias centenas de nanômetros
ResistividadeNormalmente variando de várias centenas a vários milhares de ohmsentimetros (Ω·cm)
Processo de FabricaçoCamadas de silício multicristalino preparadas por um processo especial
Espessura da camada ativaNormalmente variam de algumas a várias dezenas de nanômetros (nm)
Tipo de dopingTipo P ou tipo N
Camada isolanteDióxido de silício
Qualidade cristalina entre camadasEstrutura cristalina de alta qualidade, contribuindo para o desempenho do dispositivo
Espessura do SOINormalmente dentro da faixa de várias centenas de nanômetros a alguns micrômetros
Vantagens do processoFornece melhor desempenho do dispositivo eletrônico e menor consumo de energia
Vantagens de desempenhoCaracterísticas elétricas superiores, reduço de tamanho, transmisso transversal minimizada entre dispositivos eletrônicos, entre outros
ConductividadeAlto
Oxidaço superficialDisponível
Wafer de óxido de silícioDisponível
EpitaxiaDisponível
DopingTipo P ou tipo N
I.O.S.Disponível
 

Aplicações:

Fabricaço de microprocessadores e circuitos integrados: a tecnologia SOI desempenha um papel fundamental na fabricaço de microprocessadores e circuitos integrados.alto desempenho, e resistência radiaço tornam-na uma escolha ideal para microprocessadores de alto desempenho, especialmente em campos como dispositivos móveis e computaço em nuvem.

 

Comunicaço e tecnologia sem fios: A aplicaço generalizada da tecnologia SOI no sector das comunicações deve-se sua capacidade de reduzir o consumo de energia e melhorar a integraço.Inclui o fabrico de circuitos integrados de alto desempenho para dispositivos de radiofrequência (RF) e microondas, bem como chips eficientes para dispositivos 5G e Internet das Coisas (IoT).

 

Tecnologia de imagem e sensores: as placas SOI encontram uma utilizaço significativa na produço de sensores de imagem e vários tipos de sensores.O seu alto desempenho e menor consumo de energia tornam-nos cruciais em áreas como cmaras., equipamento de imagem médica e sensores industriais.

 

Aeroespacial e Defesa: A natureza resistente radiaço das wafers SOI as torna excelentes em ambientes de alta radiaço, levando a aplicações cruciais no aeroespacial e na defesa.So utilizadas na fabricaço de componentes-chave para veículos aéreos no tripulados, satélites, sistemas de navegaço e sensores de alto desempenho.

 

Gesto da energia e tecnologias ecológicas: devido ao seu baixo consumo de energia e sua elevada eficiência, as placas SOI encontram também aplicações na gesto da energia e nas tecnologias ecológicas.Estes incluem a utilizaço em redes inteligentes, fontes de energia renováveis e dispositivos de economia de energia.

 

Em geral, a aplicaço versátil das wafers SOI abrange vários domínios, devido s suas propriedades únicas,tornando-os um material preferido para muitos dispositivos e sistemas eletrônicos de alto desempenho.

 

Personalizaço:

Substrato de semicondutores personalizado

Marca: ZMSH

Número do modelo: wafer SOI

Local de origem: China

O substrato de semicondutor personalizado é fabricado com tecnologia avançada de filme fino, eletro-oxidaço, condutividade, filtragem e doping.superfície plana de alta qualidade, reduzindo os defeitos, baixa concentraço de impurezas destinadas a minimizar os efeitos da mobilidade dos elétrons, estrutura cristalina de alta qualidade, contribuindo para o desempenho do dispositivo e forte resistência radiaço.

 

Apoio e Serviços:

Apoio técnico e serviço de substrato de semicondutores

Fornecemos suporte técnico e serviço abrangente para nossos produtos de Substrato de Semicondutores, incluindo:

  • Orientações para a selecço de produtos
  • Instalaço e colocaço em serviço
  • Manutenço, reparações e melhorias
  • Resoluço de problemas
  • Formaço e educaço dos utilizadores
  • Substituiço e troca de produtos

Nossa equipe de suporte técnico é composta por profissionais experientes que se comprometem a garantir a satisfaço de nossos clientes.Esforçamo-nos para fornecer tempos de resposta rápidos e resoluço eficaz de problemas.

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4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas wafers SOI compatível com CMOS estrutura de três camadas

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