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O SOI (Silicon on Insulator) é uma maravilha pioneira no campo da tecnologia de semicondutores, revolucionando o panorama da eletrónica avançada.Esta bolacha de ponta incorpora um trifecto de inovaço, oferecendo desempenho incomparável, eficiência e versatilidade.
No seu núcleo encontra-se uma estrutura de três camadas. A camada superior apresenta uma camada de silício de cristal único, conhecida como a camada de dispositivo, que serve como a base para circuitos integrados.Abaixo dela reside a camada de óxido enterrado, fornecendo isolamento e isolamento entre a camada superior de silício e a base.formando o substrato sobre o qual esta obra-prima tecnológica é construída.
Uma das características destacadas da wafer SOI é a sua compatibilidade com a tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor).Esta compatibilidade integra perfeitamente os benefícios do SOI nos processos de fabrico de semicondutores existentes, oferecendo um caminho para um melhor desempenho sem perturbar as metodologias de produço estabelecidas.
A composiço inovadora de três camadas da wafer SOI traz uma série de vantagens: reduz drasticamente o consumo de energia, devido s propriedades isolantes da camada de óxido enterrado,que minimiza a capacidade do dispositivo eletrônico e melhora a velocidade e a eficiência do circuitoEsta reduço do consumo de energia no só melhora a vida útil da bateria nos dispositivos portáteis, mas também contribui para uma operaço de eficiência energética em uma multiplicidade de aplicações.
Além disso, a camada de isolamento da wafer SOI confere uma resistência superior radiaço, tornando-a excepcionalmente adequada para aplicações em ambientes agressivos e de alta radiaço.A sua capacidade de atenuar os efeitos da radiaço garante a fiabilidade e a funcionalidade, mesmo em condições extremas.
A estrutura de três camadas também diminui a interferência do sinal, otimizando o desempenho dos circuitos integrados, reduzindo a transmisso entre os componentes.Pavimentaço do caminho para uma maior eficiência no processamento de dados e na comunicaço.
Além disso, a camada de isolamento ajuda na dissipaço de calor eficiente, dispersando efetivamente o calor dentro da bolacha.assegurar o desempenho sustentado e a longevidade dos circuitos integrados.
Em concluso, a wafer SOI representa uma mudança de paradigma na tecnologia de semicondutores.abre um reino de possibilidades para eletrônicos de alto desempenhoDe eletrónica de consumo eficiente em termos de energia a soluções robustas para a aeroespacial e a defesa,O projeto inovador e as vantagens multifacetadas da wafer SOI tornam-na uma pedra angular do mundo em constante evoluço da inovaço em semicondutores..
Estrutura de dupla camada: a wafer SOI é composta por três camadas, sendo a camada superior a camada de silício de cristal único (camada de dispositivo),A camada média é a camada isolante (camada de óxido enterrado), sendo a camada inferior o substrato de silício (camada de manuseio).
Baixo consumo de energia: devido presença da camada isolante, a bolacha SOI apresenta menor consumo de energia em dispositivos eletrônicos.A camada de isolamento reduz o efeito de acoplamento de capacitncia entre dispositivos eletrônicos, aumentando assim a velocidade e a eficiência dos circuitos integrados.
Resistência radiaço: a camada isolante da wafer SOI aumenta a resistência do silício radiaço, permitindo um melhor desempenho em ambientes de alta radiaço,tornando-o adequado para aplicações específicas.
Reduço da transmisso: A presença da camada isolante ajuda a reduzir a transmisso entre os sinais, melhorando o desempenho dos circuitos integrados.
Dispensaço de calor: A camada isolante da bolacha SOI contribui para a difuso de calor, aumentando a eficiência de dissipaço de calor dos circuitos integrados, ajudando a prevenir o superaquecimento do chip.
Alta integraço e desempenho: a tecnologia SOI permite que os chips tenham uma maior integraço e desempenho, permitindo que os dispositivos eletrônicos acomodem mais componentes dentro do mesmo tamanho.
Compatibilidade CMOS: as placas SOI so compatíveis com a tecnologia CMOS, beneficiando os processos de fabricaço de semicondutores existentes.
Parmetros | Valores |
---|---|
Espessura da camada isolante | Aproximadamente várias centenas de nanômetros |
Resistividade | Normalmente variando de várias centenas a vários milhares de ohmsentimetros (Ω·cm) |
Processo de Fabricaço | Camadas de silício multicristalino preparadas por um processo especial |
Espessura da camada ativa | Normalmente variam de algumas a várias dezenas de nanômetros (nm) |
Tipo de doping | Tipo P ou tipo N |
Camada isolante | Dióxido de silício |
Qualidade cristalina entre camadas | Estrutura cristalina de alta qualidade, contribuindo para o desempenho do dispositivo |
Espessura do SOI | Normalmente dentro da faixa de várias centenas de nanômetros a alguns micrômetros |
Vantagens do processo | Fornece melhor desempenho do dispositivo eletrônico e menor consumo de energia |
Vantagens de desempenho | Características elétricas superiores, reduço de tamanho, transmisso transversal minimizada entre dispositivos eletrônicos, entre outros |
Conductividade | Alto |
Oxidaço superficial | Disponível |
Wafer de óxido de silício | Disponível |
Epitaxia | Disponível |
Doping | Tipo P ou tipo N |
I.O.S. | Disponível |
Fabricaço de microprocessadores e circuitos integrados: a tecnologia SOI desempenha um papel fundamental na fabricaço de microprocessadores e circuitos integrados.alto desempenho, e resistência radiaço tornam-na uma escolha ideal para microprocessadores de alto desempenho, especialmente em campos como dispositivos móveis e computaço em nuvem.
Comunicaço e tecnologia sem fios: A aplicaço generalizada da tecnologia SOI no sector das comunicações deve-se sua capacidade de reduzir o consumo de energia e melhorar a integraço.Inclui o fabrico de circuitos integrados de alto desempenho para dispositivos de radiofrequência (RF) e microondas, bem como chips eficientes para dispositivos 5G e Internet das Coisas (IoT).
Tecnologia de imagem e sensores: as placas SOI encontram uma utilizaço significativa na produço de sensores de imagem e vários tipos de sensores.O seu alto desempenho e menor consumo de energia tornam-nos cruciais em áreas como cmaras., equipamento de imagem médica e sensores industriais.
Aeroespacial e Defesa: A natureza resistente radiaço das wafers SOI as torna excelentes em ambientes de alta radiaço, levando a aplicações cruciais no aeroespacial e na defesa.So utilizadas na fabricaço de componentes-chave para veículos aéreos no tripulados, satélites, sistemas de navegaço e sensores de alto desempenho.
Gesto da energia e tecnologias ecológicas: devido ao seu baixo consumo de energia e sua elevada eficiência, as placas SOI encontram também aplicações na gesto da energia e nas tecnologias ecológicas.Estes incluem a utilizaço em redes inteligentes, fontes de energia renováveis e dispositivos de economia de energia.
Em geral, a aplicaço versátil das wafers SOI abrange vários domínios, devido s suas propriedades únicas,tornando-os um material preferido para muitos dispositivos e sistemas eletrônicos de alto desempenho.
Marca: ZMSH
Número do modelo: wafer SOI
Local de origem: China
O substrato de semicondutor personalizado é fabricado com tecnologia avançada de filme fino, eletro-oxidaço, condutividade, filtragem e doping.superfície plana de alta qualidade, reduzindo os defeitos, baixa concentraço de impurezas destinadas a minimizar os efeitos da mobilidade dos elétrons, estrutura cristalina de alta qualidade, contribuindo para o desempenho do dispositivo e forte resistência radiaço.
Fornecemos suporte técnico e serviço abrangente para nossos produtos de Substrato de Semicondutores, incluindo:
Nossa equipe de suporte técnico é composta por profissionais experientes que se comprometem a garantir a satisfaço de nossos clientes.Esforçamo-nos para fornecer tempos de resposta rápidos e resoluço eficaz de problemas.