6H-N Semi-isolação SiC Substarte / Wafer Para MOSFETs、JFETs BJTs Alta Resistividade Larga Bandgap
Número do modelo:4H Substrato/wafer de SiC semi-isolante
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:T/T
Tempo de entrega:2 a 4 semanas
Grau:Grau de Produção Grau de Pesquisa Grau Dummy Grau
Contate
Add to Cart
Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes:
No 38 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
6H-N Substrato/wafer de SiC semi-isolante para MOSFETs, JFETs, BJTs, banda larga de alta resistividade
Resumo do substrato/wafer de SiC semisolador
Os substratos/wafers de carburo de silício (SiC) semi-isolantes surgiram como materiais cruciais no domínio dos dispositivos eletrónicos avançados.Alta condutividade térmicaEste resumo fornece uma viso geral das propriedades e aplicações dos substratos/wafers de SiC semi-isolantes.Discuta o seu comportamento semi-isolador, que inibe a livre circulaço de elétrons, melhorando assim o desempenho e a estabilidade dos dispositivos electrónicos.A banda larga de SiC permite altas velocidades de deriva de elétrons e saturaçoAlém disso, a excelente condutividade térmica do SiC assegura uma dissipaço de calor eficiente,que o tornam adequado para utilizaço em ambientes operativos adversosA estabilidade química e a dureza mecnica do SiC aumentam ainda mais a sua fiabilidade e durabilidade em várias aplicações.Substratos/wafers de SiC semi-isolantes oferecem uma soluço convincente para o desenvolvimento de dispositivos eletrónicos de próxima geraço com desempenho e fiabilidade melhorados.
Semi-isolaço do substrato/wafer de SiC
Diagrama de dados do substrato/wafer de SiC semi-isolante (parcialmente)
| Os principais parmetros de desempenho | |
Nome do produto | Substrato de carburo de silício, wafer de carburo de silício, wafer
de SiC, substrato de SiC |
Método de crescimento | MOCVD |
Estrutura cristalina | 6H, 4H |
Parmetros da malha | 6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å), 4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å) |
Sequência de empilhamento | 6H: ABCACB, 4H: ABCB |
Grau | Grau de produço, grau de investigaço, grau de simulaço |
Tipo de condutividade | Tipo N ou semi-isolante |
Fenda de banda | 3.23 eV |
Dureza | 9.2 (Mohs) |
Conductividade térmica @300K | 3.2~4.9 W/cm.K |
Constantes dielétricas | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
Resistividade | 4H-SiC-N: 0,015 a 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 a 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
Embalagem | Saco limpo de classe 100, sala limpa de classe 1000 |
| Especificaço padro | |||||
| Nome do produto | Orientaço | Tamanho normal | Espessura | Poluiço | |
| Substrato de 6H-SiC Substrato de 4H-SiC | <0001> <0001> 4° de desvio para <11-20> < 11-20> < 10 a 10> Outros aparelhos de televiso | 10x10 mm 10x5 mm 5x5 mm 20x20 mm φ2" x 0,35 mm φ3" x 0,35 mm φ4" x 0,35 mm φ4" x 0,5 mm φ6" x 0,35 mm Ou outros. | 0.1 mm 0.2 mm 0.5 mm 1.0 mm 2.0 mm Ou outros. | Boa terra Polida de lado único Polido de duas faces Resistência corroso: | Inquérito OLinha |
Aplicações essenciais:
Os substratos/wafers de carburo de silício (SiC) semi-isolantes encontram diversas aplicações em vários dispositivos eletrônicos de alto desempenho.
Eletrónica de Potência:Os substratos de SiC semi-isolantes so amplamente utilizados no fabrico de dispositivos de potência, como os transistores de efeito de campo de óxido metálico-semicondutores (MOSFETs),Transistores de efeito de campo de junço (JFET), e Bipolar Junction Transistors (BJTs). O amplo intervalo de banda do SiC permite que esses dispositivos operem a temperaturas e tensões mais elevadas,Resultando em melhoria da eficiência e reduço das perdas nos sistemas de converso de energia para aplicações como veículos elétricos, energias renováveis e fontes de alimentaço industrial.
Dispositivos de radiofrequência (RF):As placas de SiC so utilizadas em dispositivos de RF como amplificadores de potência de microondas e switches de RF. A alta mobilidade eletrônica e velocidade de saturaço do SiC permitem o desenvolvimento de dispositivos de alta frequência,Dispositivos RF de alta potência para aplicações como comunicaço sem fios, sistemas de radar e comunicações por satélite.
Optoeletrónica:Os substratos de SiC semi-isolantes so utilizados na fabricaço de fotodetectores ultravioleta (UV) e diodos emissores de luz (LED).A sensibilidade do SiC luz UV torna-o adequado para aplicações de detecço UV em áreas como detecço de chama, esterilizaço UV e monitorizaço ambiental.
Eletrónica de alta temperatura:Os dispositivos de SiC operam de forma confiável a temperaturas elevadas, tornando-os adequados para aplicações de alta temperatura, como aeroespacial, automotivo e perfuraço de poços.Os substratos de SiC so utilizados para fabricar sensores, actuadores e sistemas de controlo que possam suportar condições de funcionamento adversas.
Fotônica:Os substratos de SiC so utilizados no desenvolvimento de dispositivos fotônicos, como switches ópticos, moduladores e guias de onda.O amplo espaço de banda do SiC e a sua elevada condutividade térmica permitem a fabricaço de, dispositivos fotónicos de alta velocidade para aplicações em telecomunicações, sensores e computaço óptica.
Aplicações de alta frequência e alta potência:Os substratos de SiC so utilizados na produço de dispositivos de alta frequência e alta potência, como diodos Schottky, tiristores e transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT).Estes dispositivos encontram aplicações em sistemas de radar, infra-estruturas de comunicaço sem fios e aceleradores de partículas.
Em resumo, os substratos/wafers de SiC semi-isolantes desempenham um papel crucial em várias aplicações eletrónicas, oferecendo um desempenho superior, fiabilidade,e eficiência em comparaço com os materiais semicondutores tradicionaisA sua versatilidade faz com que sejam a escolha preferida para sistemas electrónicos de próxima geraço em vários sectores.
Recomendações de produtos semelhantes (Clique na imagem para ir para a página de detalhes do produto)
①6 polegadas Dia153 mm 0,5 mm SiC monocristalino
②8 polegadas 200mm Polido de silicone carburo Ingot Substrato Sic Chip
③Reflector óptico de espelho esférico SiC de alta preciso
6H-N Semi-isolação SiC Substarte / Wafer Para MOSFETs、JFETs BJTs Alta Resistividade Larga Bandgap
Inquiry Cart
0