Wafer SiC 4H N Tipo 8 polegadas Grau de produção Grau Dummy personalizado Wafer de carburo de silício polido de dois lados

Wafer SiC 4H N Tipo 8 polegadas Grau de produço Grau Dummy personalizado Wafer de carburo de silício polido de dois lados

Descriço da Wafer SiC:
O Wafer SiC é um material semicondutor que possui excelentes propriedades elétricas e térmicas.Além da sua elevada resistência térmicaEm comparaço com outros semicondutores, uma bolacha de carburo de silício é ideal para uma ampla gama de aplicações de potência e tenso.Isto significa que é adequado para uma variedade de dispositivos elétricos e ópticos.O Wafer SiC é o material semicondutor mais popular disponível.A bolacha de carburo de silício é um material muito útil para vários tipos de dispositivos eletrônicosOferecemos uma variedade de wafers e substratos de SiC de alta qualidade. Estes esto disponíveis em formas de tipo n e semi-isolaço.

O Caráter da Wafer SiC:

1Alta Energia de Bandgap
2. Alta condutividade térmica
3. Alta dureza
4Boa estabilidade química

A forma da Wafer SiC:

A foto física da SiC Wafer:

Aplicaço da Wafer SiC:

1Dispositivos de alimentaço:

As wafers de SiC so amplamente usadas na fabricaço de dispositivos eletrônicos de potência, como MOSFETs de potência (Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico-Semicondutores), diodos Schottky e módulos integrados de potência.Devido s vantagens da elevada condutividade térmica, alta tenso de ruptura e alta mobilidade eletrônica do SiC, estes dispositivos podem alcançar uma converso de potência eficiente e de alto desempenho em alta temperatura, alta tenso,e ambientes de alta frequência.

2. Dispositivos optoelectrónicos:

As placas de SiC desempenham um papel crucial em dispositivos optoeletrônicos, sendo usadas para fabricar fotodetectores, diodos laser, fontes UV, entre outros.As propriedades ópticas e eletrônicas superiores do carburo de silício tornam-no um material preferido, especialmente excelentes em aplicações que exigem altas temperaturas, frequências e níveis de potência.

3Dispositivos de radiofrequência (RF):

As placas de SiC também so utilizadas na fabricaço de dispositivos de RF, tais como amplificadores de potência de RF, interruptores de alta frequência, sensores de RF, e mais.e perdas mais baixas de SiC tornam-no uma escolha ideal para aplicações de RF como comunicaço sem fio e sistemas de radar.

4Eletrónica de alta temperatura:

Devido sua elevada estabilidade térmica e resistência temperatura, as placas de SiC so utilizadas na produço de eletrónica concebida para funcionar em ambientes de alta temperatura,Incluindo a eletrónica de potência de alta temperatura, sensores e controladores.

Imagem de aplicaço da Wafer SiC:

Perguntas e Respostas:

1P:- O que é?Significadode wafers de carburo de silício de alta qualidade?

R: Este é um passo crucial para permitir a produço em larga escala de dispositivos de carburo de silício, satisfazendo a demanda da indústria de semicondutores por dispositivos de alto desempenho e altamente confiáveis.

2P: Como so utilizadas as wafers de carburo de silício em aplicações específicas de semicondutores, como eletrônica de potência e optoeletrônica?

R: As bolhas de carburo de silício so utilizadas em eletrônica de potência para dispositivos como MOSFETs de potência, diodos Schottky,e módulos de potência devido sua elevada condutividade térmica e capacidade de manipulaço de tensoNa optoeletrônica, as placas de SiC so utilizadas para fotodetectores, diodos laser e fontes UV devido ao seu amplo intervalo de banda e estabilidade a altas temperaturas,que permitam dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho.

3Q: Que vantagens oferece o carburo de silício (SiC) em relaço s wafers de silício tradicionais em aplicações de semicondutores?

R: O carburo de silício oferece várias vantagens em relaço s wafers de silício tradicionais, incluindo maior tenso de quebra, maior condutividade térmica, maior distncia de banda e maior estabilidade de temperatura.Estas propriedades tornam as placas de SiC ideais para alta potência, aplicações de alta frequência e de alta temperatura onde as wafers de silício tradicionais podem no funcionar de forma ideal.

Recomendaço do produto:

Wafers SIC de alta pureza 4H-Semi Prime Grade Semicondutor EPI Substrato