6H SiC Silicon Carbide Wafer Duplo Lado Polido 2 polegadas <0001> Tipo N Tipo Semi

Tempo de entrega:2-4 semanas
Condições de pagamento:T/T
Materiais:Carbono de silício
Revestimento de superfície:Único/lateral dobro lustrado
orientação:Em-linha central/linha central
A rugosidade da superfície:≤1.2nm
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Shanghai Shanghai China
Endereço: Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
Fornecedor do último login vezes: No 38 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Wafer de carburo de silício de 6H lado duplo polido de 2 polegadas de dimetro TTV Bow Warp <0001>

Descriço do produto:

Existem muitos polimorfos diferentes de carburo de silício e o carburo de silício 6H é um entre quase 200 polimorfos.O carburo de silício 6H é, de longe, a modificaço mais comum de carburo de silício para fins comerciaisOs wafers de carburo de silício 6H so de suma importncia e podem ser utilizados como semicondutores.É amplamente utilizado em abrasivos e ferramentas de corte, tais como discos de corte por causa de sua durabilidade e baixos custos de materialÉ usado em armaduras de corpo compostas modernas e coletes prova de balas. Também é usado na indústria automotiva, onde é usado para fabricar discos de freio.é utilizado para manter metais fundidos em cristaisA sua utilizaço em aplicações eléctricas e electrónicas é to conhecida que no requer qualquer debate.JóiasEstamos a oferecer wafers de carburo de silício 6H com qualidade distinta e 99,99%.

 

Nome do produtoSubstrato de carburo de silício, wafer de carburo de silício, wafer de SiC, substrato de SiC
Estrutura cristalina6H
Parmetros da malha6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
Sequência de empilhamento6H: ABCACB,
GrauGrau de produço, grau de investigaço, grau de simulaço
Tipo de condutividadeTipo N ou semi-isolante
Fenda de banda3.23 eV
Dureza9.2 (Mohs)
Conductividade térmica @300K3.2~4.9 W/cm.K
Constantes dielétricase(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
Resistividade6H-SiC-N: 0,02~0,1 Ω·cm,6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm

 

 

6H SiC Silicon Carbide Wafer Duplo Lado Polido 2 polegadas  Tipo N Tipo Semi

 

Caráter:

1A bolacha de carburo de silício (SiC) tem grandes propriedades elétricas e excelentes propriedades térmicas.
2A wafer de carburo de silício (SiC) tem propriedades de dureza superiores.

3A bolacha de carburo de silício (SiC) tem alta resistência corroso, eroso e oxidaço.

Aplicações:

O SiC é usado para a fabricaço de dispositivos de alta voltagem e alta potência, como diodos, transistores de potência e dispositivos de microondas de alta potência.Dispositivos de energia baseados em SiC têm velocidade de comutaço mais rápida voltagens mais altas, menor resistência parasitária, menor tamanho, menos arrefecimento necessário devido capacidade de alta temperatura.

Enquanto a bolacha de carburo de silício (SiC-6H) - 6H tem propriedades eletrônicas superiores, a bolacha de carburo de silício (SiC-6H) ¢ 6H é mais facilmente preparada e melhor estudada.

  • Eletrônicos de potência: as bolhas de carburo de silício so usadas na produço de eletrônicos de potência, que so utilizados em uma ampla gama de aplicações, incluindo veículos elétricos, sistemas de energia renovável,e equipamentos industriaisA elevada condutividade térmica e a baixa perda de potência do carburo de silício tornam-no um material ideal para estas aplicações.
  • Iluminaço LED: as bolhas de carburo de silício so usadas na produço de iluminaço LED.A alta resistência do carburo de silício permite produzir LEDs que so mais duráveis e duradouros do que fontes de iluminaço tradicionais.
  • Dispositivos semicondutores: as bolhas de carburo de silício so utilizadas na produço de dispositivos semicondutores, que so utilizados numa ampla gama de aplicações, incluindo telecomunicações, computaço,e electrónica de consumoA elevada condutividade térmica e a baixa perda de potência do carburo de silício tornam-no um material ideal para estas aplicações.
  • Células solares: as bolhas de carburo de silício so usadas na produço de células solares.A alta resistência do carburo de silício permite produzir células solares mais duráveis e duradouras do que as células solares tradicionais.

Em geral, a Wafer de Carbono de Silício ZMSH é um produto versátil e de alta qualidade que pode ser usado em uma ampla gama de aplicações.e alta resistência tornam-no um material ideal para dispositivos eletrônicos de alta temperatura e alta potência. Com um arco/vermelho de ≤ 50 mm, uma rugosidade de superfície de ≤ 1,2 nm e uma resistência de alta/baixa resistência,a Wafer de Carbono de Silício é uma escolha confiável e eficiente para qualquer aplicaço que exija uma superfície plana e lisa.

 


 

Perguntas frequentes:

 

P: Qual é o número de modelo deste produto?

R: O número de modelo deste produto é Silicon Carbide.

P: De onde vem este produto?

R: Este produto é da China.

P: Qual é a diferença entre silício e SiC?

R: O silício tem uma tenso de ruptura de cerca de 600 V, mas os dispositivos baseados em SiC podem suportar tensões até dez vezes maiores.Os materiais de banda mais larga também podem suportar temperaturas muito mais altas.

P: O SiC é um semicondutor?

R: O carburo de silício é um semicondutor perfeitamente adaptado para aplicações energéticas, graças sobretudo sua capacidade de resistir a altas tensões, até dez vezes superiores s utilizáveis com silício.

Personalizaço:

A ZMSH fornece serviços de personalizaço de produtos para a nossa Wafer de Carbono de Silício.Os clientes podem escolher entre a nossa selecço de tamanhos de wafer e especificações para atender s suas necessidades específicas.

A nossa Wafer de Carbono de Silício vem em diferentes modelos e tamanhos, com o número de modelo de Carbono de Silício.

Oferecemos uma gama de acabamentos de superfície, incluindo Single/Double Side Polished, com uma rugosidade de superfície de ≤1,2 nm e planosidade de Lambda/10.que podem ser personalizados de acordo com as suas necessidadesA nossa EPD é ≤ 1E10/cm2, garantindo que as nossas placas cumpram os mais elevados padrões da indústria.

 

 

China 6H SiC Silicon Carbide Wafer Duplo Lado Polido 2 polegadas  Tipo N Tipo Semi supplier

6H SiC Silicon Carbide Wafer Duplo Lado Polido 2 polegadas <0001> Tipo N Tipo Semi

Inquiry Cart 0