4H N Tipo Semi Tipo SiC Wafer 4 polegadas DSP Produção Pesquisa de calibre Dummy Personalização

Descriço do produto:

A bolacha de carburo de silício é utilizada principalmente na produço de diodos Schottky, transistores de efeito de campo de óxido metálico semicondutores, transistores de efeito de campo de junço, transistores de junço bipolar,tiristoresO Wafer de Carbono de Silício possui alta/baixa resistividade, garantindo o desempenho que você precisa,independentemente dos requisitos da sua candidaturaQuer estejam a trabalhar com eletrónica de alta potência ou sensores de baixa potência, o nosso wafer está altura da tarefa.Ento, se você está procurando por uma óleo de carburo de silício de alta qualidade que oferece desempenho excepcional e confiabilidadeGarantimos que no ficará desapontado com a sua qualidade ou desempenho.

Caráter:

1. Forte estabilidade a altas temperaturas: as wafers de carburo de silício apresentam condutividade térmica extremamente elevada e inércia química,permitindo-lhes manter a estabilidade em ambientes de alta temperatura sem sofrer facilmente expanso térmica e deformaço.
2. Alta resistência mecnica: as wafers de carburo de silício possuem alta rigidez e dureza, permitindo-lhes resistir a altas tensões e cargas pesadas.
3. Excelentes propriedades elétricas: as wafers de carburo de silício têm propriedades elétricas superiores em comparaço com os materiais de silício, com alta condutividade elétrica e mobilidade de elétrons.
4• Excelente desempenho óptico: as wafers de carburo de silício possuem boa transparência e forte resistência radiaço.

Crescimento de cristais únicos de carburo de silício:

1Inversores, conversores CC-DC e carregadores a bordo para veículos elétricos: Estas aplicações exigem um grande número de módulos de energia.Os dispositivos de carburo de silício aumentam significativamente a autonomia e reduzem o tempo de carregamento dos veículos elétricos.
2Dispositivos de potência de carburo de silício para aplicações de energia renovável: Dispositivos de potência de carburo de silício utilizados em inversores para aplicações de energia solar e eólica aumentam a utilizaço de energia,fornecer soluções mais eficientes para o pico de carbono e a neutralidade de carbono.
3Aplicações de alta tenso como ferrovias de alta velocidade, sistemas de metrô e redes de energia: os sistemas nesses campos exigem tolerncia alta tenso, segurança e eficiência operacional.Os dispositivos de potência baseados na epitaxia de carburo de silício so a escolha ideal para as aplicações acima mencionadas.
4Dispositivos RF de alta potência para comunicaço 5G: Estes dispositivos para o setor de comunicaço 5G exigem substratos com alta condutividade térmica e propriedades de isolamento.Isto facilita a realizaço de estruturas epitaxiais GaN superiores.

Perguntas frequentes:

P: Qual é a diferença entre 4H-SiC e SiC?
R: O carburo de silício 4H (4H-SiC) se destaca como um politipo superior de SiC devido sua ampla distncia de banda, excelente estabilidade térmica e notáveis características elétricas e mecnicas.

P: Quando deve ser utilizado o SiC?
R: Se você quiser citar alguém ou algo em seu trabalho, e perceber que o material de origem contém um erro ortográfico ou gramatical,Você usa sic para indicar o erro colocando-o logo após o erro.

P: Porquê 4H SiC?
R: O 4H-SiC é preferido ao 6H-SiC para a maioria das aplicações eletrônicas porque tem uma mobilidade eletrônica mais elevada e mais isotrópica do que o 6H-SiC.