

Add to Cart
Sapphire Wafer 6 polegadas DSP SSP C-plane ((0001) 99,999% LED monocristalino de alta pureza Al2O3
As wafers de safira so um tipo de mineral com características como alta dureza (9,0 Mohs), boa transparência e estabilidade química.Safiras naturais e safiras sintéticasAs obleias sintéticas de safira so produzidas através de reações químicas em condições de alta temperatura e alta presso.que os tornam amplamente utilizados na produço industrialDiferentes métodos e condições de síntese podem produzir wafers de safira em várias cores e formas, tais como amarelo dourado, rosa, etc.
O substrato de 6 polegadas (cerca de 150 mm) geralmente tem uma espessura padronizada e é adequado para crescimento epitaxial.Cultivo por método de fuso (como o método de Verneuil) ou método de soluço (como o método de Czochralski)A utilizaço de substratos de zafiro de cristal único de alta qualidade proporciona uma boa qualidade cristalina e contribui para melhorar o desempenho e a fiabilidade do dispositivo.É adequado para utilizaço em condições de alta temperatura e de ambiente em mudança para assegurar a estabilidade a longo prazo do dispositivo. Amplamente utilizado no crescimento epitaxial de LEDs azuis e brancos, fornecendo um bom substrato de GaN. Amplamente utilizado no crescimento epitaxial de LEDs azuis e brancos, fornecendo um bom substrato de GaN.Também desempenha um papel importante em dispositivos de alta frequência e alta potência.
1Estabilidade química
Resistência corroso: O safiro possui excelente estabilidade química
e pode resistir corroso de várias substncias químicas.
2Características ópticas
Transparência: Tem boa transmisso na regio da luz visível e da luz
ultravioleta, adequada para dispositivos fotoelétricos.
Baixa perda de luz: em aplicações de alta potência, o substrato de
safira pode efetivamente reduzir a perda de luz.
3Propriedades mecnicas
Alta dureza: A dureza do safiro é extremamente alta, forte
resistência ao desgaste, pode manter a estabilidade em ambientes
adversos.
Dureza: Embora a dureza do safiro seja alta, a dureza também é
relativamente boa e pode resistir a certo impacto.
4Propriedades térmicas
Conductividade térmica: Tem boa condutividade térmica, pode
dissipar eficazmente o calor, adequado para aplicações de alta
temperatura.
Estabilidade térmica: pode manter um desempenho estável em ambiente
de alta temperatura, adequado para dispositivos de alta potência.
5Características eléctricas
Isolamento: O safiro é um excelente isolante elétrico para
aplicações de alta tenso.
6Processo de crescimento
Cristais de alta qualidade: através de processos avançados, como o
método de fuso ou o método de Czochralski para o crescimento,
substratos de cristal único de alta qualidade podem ser obtidos.
7Normalizaço dos tamanhos
Especificaço de 6 polegadas: tamanho padro de 6 polegadas
(aproximadamente 150 mm), tornando-o mais compatível e repetível
durante a fabricaço.
Ponto | 6 polegadas C-plane ((0001) 1300μm Sapphire Wafers | |
Materiais cristalinos | 99,999%, Alta pureza, Al2O3 monocristalino | |
Grau | Prime, Epi-Ready | |
Orientaço da superfície | C-plano ((0001) | |
C-plano fora de ngulo em direcço ao eixo M 0,2 +/- 0,1° | ||
Dimetro | 150.0 mm +/- 0,2 mm | |
Espessura | 1300 μm +/- 25 μm | |
Orientaço plana primária | A-plano ((11-20) +/- 0,2° | |
Duraço plana primária | 47.0 mm +/- 1,0 mm | |
Polido de lado único | Superfície da frente | Epi-polido, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
(SSP) | Superfície traseira | Moagem fina, Ra = 0,8 μm a 1,2 μm |
Lustrado de dois lados | Superfície da frente | Epi-polido, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
(DSP) | Superfície traseira | Epi-polido, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
TTV | < 25 μm | |
Arco-íris | < 25 μm | |
WARP | < 25 μm | |
Limpeza / Embalagem | Classe 100 Limpeza de salas limpas e embalagens a vácuo, | |
25 peças numa embalagem de cassete ou numa embalagem de peça única. |
1.A aplicaço de wafers de safira de plano C
Em comparaço com substratos de safira com outras orientações cristalinas,As placas de safira de plano C (orientaço <0001>) apresentam um desajuste relativamente menor da constante de rede com materiais dos grupos III-V e II-VI (como GaN)Além disso, o desajuste da constante de rede entre ambos e a película fina de AlN que pode servir como camada tampo é ainda menor.Esta característica torna as placas de safira de plano C um material de substrato comumente usado em processos de crescimento de GaN.
Devido sua capacidade de satisfazer os requisitos de alta temperatura em processos de epitaxia de GaN, as obtidas a partir de safiras de plano C so ideais para a produço de diodos emissores de luz (LED) brancos/azuis/verdes,Diodos laser, detectores infravermelhos e outros dispositivos.
2Aplicaço de placas de safira de plano A
Devido ao seu desempenho geral excepcional, especialmente a sua excelente transparência que aumenta a penetraço da luz infravermelha,Os monocristais de safira tornaram-se o material ideal para janelas infravermelhas médias e so amplamente utilizados em dispositivos elétricos ópticos militares.Neste contexto, o safiro de plano A representa uma face no polar perpendicular superfície polar (plano C).Os cristais de safira cultivados na direcço a apresentam uma qualidade superior em comparaço com os cultivados na direcço c., apresentando menos defeitos, menos estruturas de geminaço e uma estrutura cristalina mais completa.
Além disso, devido ao arranjo de ligaço atômica de Al-O-Al-O no plano A, o safiro de direço a possui uma dureza e resistência ao desgaste significativamente maiores em comparaço com o safiro de direço c.Consequentemente,Além disso, o safiro de plano A também possui constantes dielétricas uniformes e altas características de isolamento,que o tornem adequado para aplicações na tecnologia de microeletrónica mistaPode também ser utilizado em processos de crescimento de supercondutores a altas temperaturas,como o crescimento de filmes supercondutores heteroepitaxial usando materiais como TlBaCaCuO (TbBaCaCuO) em substratos compostos de safira e óxido de cério (CeO2).
3Aplicaço de placas de safira de plano R e plano M
O plano R do safiro é uma face no polar, e, portanto, as variações na posiço do plano R em dispositivos de safira resultam em diferentes propriedades mecnicas, térmicas, elétricas e ópticas.Em geralOs substratos de safira de plano R so preferidos para deposiço heteroepitaxial com silício e so utilizados principalmente no fabrico de semicondutores.aplicações de circuitos integrados microondas e microeletrônicosOs substratos de safira de plano R so também utilizados na produço de bolas de rubí, outros componentes supercondutores, resistores de alta resistência e arsenieto de gálio.
Com o uso generalizado de smartphones, tablets e outros dispositivos,Os substratos de safira de plano R substituíram os dispositivos de onda acústica de superfície composta (SAW) existentes usados em smartphones e tabletsEles servem como substratos para dispositivos que podem melhorar o desempenho, fornecendo uma base melhorada para várias aplicações.
A ZMSH pode fornecer wafers de safira com qualquer orientaço de cristal, como C-plane, A-plane, R-plane, M-plane e muito mais.
Wafers de safira de plano A:Essas placas apresentam constantes dielétricas uniformes e altas propriedades de isolamento, tornando-as amplamente utilizadas no campo da microeletrônica mista.
Wafers de safira de plano M:As perspectivas de aplicaço do safiro na detecço de ultravioleta próxima levaram a um interesse crescente em filmes finos de semicondutores de liga MgZnO de banda larga.
Wafers de safira de plano R:As bolinhas de safira de plano R (1-102) so materiais preferidos para deposiço epitaxial de silício em aplicações de ICs microeletrônicos.
Além dos tamanhos padro e orientações cristalinas,A utilizaço de diferentes ngulos e a incluso de apartamentos de orientaço também so oferecidos para maximizar a flexibilidade para os clientes em aplicações de pesquisa ou de negócios.Todos os wafers de safira so limpos e embalados em salas limpas de classe 100 e so diretamente aplicáveis ao crescimento epitaxial (grau pronto para Epi) para atender s exigências de crescimento epitaxial rigorosas dos clientes.De superfície polida ou no polida, com ou sem apartamentos de orientaço, podemos personalizar a produço de acordo com as suas necessidades específicas para atender a várias exigências no seu campo de investigaço.
1P: Que tamanho têm as bolachas de safira?
R: Os nossos dimetros de wafer padro variam de 25,4 mm (1 polegada) a 300 mm (11,8 polegadas) de tamanho;Os wafers podem ser produzidos em várias espessuras e orientações, com lados polidos ou no polidos e podem incluir dopantes..
2P: Por que usar substrato de safira?
R: O safiro possui excepcional isolamento elétrico, transparência,
boa condutividade térmica e altas propriedades de rigidez.Por
conseguinte, é um material ideal para substratos e é utilizado em
circuitos LED e microeletrônicos, circuitos integrados de
ultra-alta velocidade.
3P: Por que é que as bolinhas maiores so melhores?
R: Aumentar o tamanho da bolacha significa uma área de superfície
maior para cada célula solar.resultando numa potência de saída
superior por célula e móduloOs wafers maiores podem aumentar
significativamente a produço global de energia das instalações
solares.
1Substrato de safira.
(Clique na imagem para mais informações)
2. Wafer de safira de 4 polegadas
(Clique na imagem para mais informações)
3. 10*10*0.1mmt 100um Duplo Lado Polido Led Sapphire Substrate 2 polegadas
(Clique na imagem para mais informações)