Wafer SiC 4H tipo N de carburo de silício grau 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas DSP personalizado

Wafer SiC 4H tipo N de carburo de silício grau 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas DSP personalizado

Descriço da Wafer SiC:

O Wafer de Carbide de Silício vem em um tipo 4H n, que é o tipo mais comumente usado para wafers de carburo de silício.Alta condutividade térmica, e elevada estabilidade química e mecnica.

A Wafer de Carbono de Silício está disponível em três graus diferentes: Produço, Pesquisa e Dummy.A bolacha de nível de produço é projetada para uso em aplicações comerciais e é produzida de acordo com padrões de qualidade rigorosos.A bolacha de grau de investigaço foi concebida para ser utilizada em aplicações de investigaço e desenvolvimento e é produzida com padrões de qualidade ainda mais elevados.A bolacha de calibraço fictícia é projetada para ser usada como um espaço reservado no processo de fabricaço.

Características da Wafer SiC:

As placas de carburo de silício (SiC) so um material semicondutor chave que desempenha um papel importante em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência, entre outras aplicações.Aqui esto algumas das características das wafers de SiC:
 

1. Características da lacuna da banda larga:
O SiC tem uma banda larga, tipicamente entre 2,3 e 3,3 elétronvolts, o que o torna excelente para aplicações de alta temperatura e alta potência.Esta propriedade de lacuna de banda larga ajuda a reduzir a corrente de vazamento no material e melhorar o desempenho do dispositivo.

2. Conductividade térmica:
O SiC tem uma condutividade térmica muito elevada, várias vezes superior s wafers de silício convencionais.Esta alta condutividade térmica facilita a dissipaço eficiente de calor em dispositivos eletrônicos de alta potência e melhora a estabilidade e a confiabilidade do dispositivo.

3.Propriedades mecnicas:
O SiC possui excelente resistência mecnica e dureza, o que é importante para aplicações em ambientes de alta temperatura e adversos.e ambientes de elevada radiaço, tornando-os adequados para aplicações que exigem elevada resistência e durabilidade.

4Estabilidade química:
O SiC tem uma alta resistência corroso química e pode resistir ao ataque de muitos produtos químicos, por isso funciona bem em alguns ambientes especiais onde é necessário um desempenho estável.

5Propriedades elétricas:
O SiC tem uma alta tenso de ruptura e baixa corrente de vazamento, tornando-o muito útil em dispositivos eletrônicos de alta tenso e alta frequência.As placas de SiC têm menor resistividade e maior permittividade, que é essencial para aplicações de RF.

Em geral, as placas de SiC têm amplas perspectivas de aplicaço em dispositivos eletrônicos de alta potência, dispositivos de RF e dispositivos optoeletrônicos devido s suas excelentes propriedades elétricas, térmicas e mecnicas.

Tabela de características da Wafer SiC:

Foto física da Wafer SiC:

Aplicações da Wafer SiC:

1Dispositivos eletrónicos de potência:
As placas SiC têm uma ampla gama de aplicações no campo dos dispositivos eletrônicos de potência, como MOSFETs de potência (transistores de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico) e SCHTKEY (diodos de barreira Schottky).A alta força de campo de quebra e a alta velocidade de deriva de saturaço de elétrons do material SiC tornam-no uma escolha ideal para conversores de potência de alta densidade de potência e alta eficiência.

2Dispositivos de radiofrequência (RF):
As placas de SiC também encontram aplicações importantes em dispositivos de RF, como amplificadores de potência de RF e dispositivos de microondas.A alta mobilidade eletrônica e a baixa perda de materiais SiC tornam-nos excelentes em aplicações de alta frequência e alta potência.

3Dispositivos optoelectrónicos:
As placas de SiC também encontram crescentes aplicações em dispositivos optoeletrônicos, como fotodiodos, detectores de luz ultravioleta e diodos a laser.As excelentes propriedades ópticas e a estabilidade do material SiC tornam-no um material importante no campo dos dispositivos optoeletrônicos.

4Sensor de alta temperatura:
As placas de SiC so amplamente utilizadas no campo dos sensores de alta temperatura devido s suas excelentes propriedades mecnicas e estabilidade a altas temperaturas.radiaço, e ambientes corrosivos e so adequados para os sectores aeroespacial, energético e industrial.

5Dispositivos electrónicos resistentes radiaço:
A resistência radiaço das placas de SiC faz com que sejam amplamente utilizadas na energia nuclear, na indústria aeroespacial e em outros campos onde so necessárias características de resistência radiaço.O material SiC tem uma elevada estabilidade radiaço e é adequado para dispositivos eletrónicos em ambientes de alta radiaço.

Imagem de aplicaço da Wafer SiC:

Personalizaço de Wafer SiC:

Estamos empenhados em fornecer soluções personalizadas de Wafer SiC de alta qualidade e alto desempenho para atender s diversas necessidades de nossos clientes.A nossa fábrica pode personalizar wafers de SiC de várias especificações, espessuras e formas de acordo com as exigências específicas dos nossos clientes.

Perguntas frequentes:

1P: Qual é a maior bolacha de safira?
O zafiro de 300 mm (12 polegadas) é agora a maior bolacha para diodos emissores de luz (LEDs) e eletrônicos de consumo.

2P: Que tamanho têm as bolachas de safira?

R: Os nossos dimetros de wafer padro variam de 25,4 mm (1 polegada) a 300 mm (11,8 polegadas) de tamanho;Os wafers podem ser produzidos em várias espessuras e orientações, com lados polidos ou no polidos e podem incluir dopantes..

3P: Qual é a diferença entre a safira e a silicone?
R: Os LEDs so as aplicações mais populares para safira. O material é transparente e é um excelente condutor de luz.O silício é opaco e no permite uma extracço eficiente da luzNo entanto, o material semicondutor é ideal para LEDs, porque é barato e transparente.

Recomendaço do produto:

1.4H-N 8 polegadas Wafer SiC

2.Substrato de SiC de 4 polegadas 4H-N

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