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Wafer de safira 12 polegadas AL2O3 Personalizaço DSP SSP plano C plano A plano M plano LED substrato de safira
O safiro é um material com uma combinaço única de propriedades físicas, químicas e ópticas, que o tornam resistente a altas temperaturas, choque térmico, eroso por água e areia e arranhões.É um material de janela superior para muitas aplicações IR de 3μm a 5μmOs substratos de safira de plano C so amplamente utilizados para o cultivo de compostos III-V e II-VI, tais como GaN para LEDs azuis e diodos laser,enquanto os substratos de safira de plano R so usados para deposiço hetero-epitaxial de silício para aplicações de ICs microeletrônicos.
As wafers de safira so um material semicondutor comumente usado,
geralmente se referindo a cristais de alumina (Al2O3).
1Propriedades ópticas:
As placas de safira possuem uma excelente transparência óptica,
especialmente na faixa espectral visível e do infravermelho
próximo.e aparelhos optoeletrônicos.
2. Dureza e resistência ao desgaste:
As bolinhas de safira têm uma dureza muito alta, a segunda apenas
após o diamante, e, portanto, têm boa resistência ao desgaste.Esta
propriedade torna as obleias de safira muito úteis em aplicações
que exigem superfícies resistentes a arranhões e desgaste, tais
como revestimentos de superfícies de relógios e janelas ópticas.
3Estabilidade química:
As bolinhas de safira têm boa estabilidade química e podem resistir
corroso por ácidos e álcalis.e ambientes de alta temperatura/alta
presso.
4Propriedades térmicas:
As bolinhas de safira têm alta condutividade térmica e capacidade
térmica, o que as torna mais estáveis em ambientes de alta
temperatura.As obleias de safira so uma escolha de material ideal
para sensores de alta temperatura, sistemas de refrigeraço a laser
e dispositivos eletrónicos de alta temperatura.
Ponto | Especificações | ||||
---|---|---|---|---|---|
Dimetro | 2 polegadas | 4 polegadas | 15 cm | 8 polegadas | 12 polegadas |
Materiais | Safira artificial ((Al2O3 ≥ 99,99%) | ||||
Espessura | 430 ± 15 μm | 650 ± 15 μm | 1300±20 μm | 1300±20 μm | 3000 ± 20 μm |
Superfície orientaço | c-plano ((0001) | ||||
DE comprimento | 16 ± 1 mm | 30 ± 1 mm | 47.5±2,5 mm | 47.5±2,5 mm | *negociável |
DE orientaço | a-plano 0±0,3° | ||||
TTV * | ¥10 μm | ¥10 μm | 15 μm | 15 μm | *negociável |
BOW * | -10 ~ 0 μm | -15 ~ 0 μm | -20 ~ 0 μm | -25 ~ 0 μm | *negociável |
Warp * | 15 μm | 20 μm | ¢ 25 μm | ¢ 30 μm | *negociável |
Lado da frente acabamento | Preparado para epi (Ra<0,3 nm) | ||||
Do lado de trás acabamento | Lapping (Ra 0,6 - 1,2 μm) | ||||
Embalagem | Embalagem a vácuo em sala limpa | ||||
Primeira categoria | Limpeza de alta qualidade: tamanho das partículas 0.3um), 0.18pcs/cm2, contaminaço por metais 2E10/cm2 | ||||
Observações | Especificações personalizáveis: orientaço a/r/m plano, fora de ngulo, forma, polir de dois lados |
1. As objetivas de safira de plano C so amplamente utilizadas para
o crescimento de materiais semicondutores de banda larga III-V e
II-VI, tais como nitruro de gálio (GaN), nitruro de alumínio (AlN),
nitruro de ínio (InN),óxido de zinco (ZnO para a emisso de luz UV),
e óxido de estanho (SnO2 para materiais emissores de luz UV).
2Para além disso, as placas de safira C-plane (0001) encontram
amplas aplicações na preparaço de LEDs de cores branca, azul, UV,e
wafers epitaxial UV profundos através de técnicas como a deposiço
de vapor químico metalorgnico (MOCVD), epitaxia de feixe molecular
(MBE), deposiço de vapor químico reforçado pelo plasma (PECVD) e
outros métodos de crescimento epitaxial.
3Os wafers de safira padro também podem servir de substratos para
transistores bipolares de heterojunço (HBTs), diodos laser (LDs),
detectores UV, nanotubos,e como materiais de dissipaço de calor
para alta temperatura, dispositivos eletrónicos de alta potência e
de alta frequência.
Oferecemos opções de personalizaço para o substrato de safira em
diferentes tamanhos, incluindo dimetros de 1 polegada, 2 polegadas,
3 polegadas, 4 polegadas, 5 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas e
12 polegadas.A nossa bolacha de safira pode ser ajustada para
atender s suas necessidades específicas., com uma tolerncia de
dimetro ≤ 3%.
1.Utilizando 99,999% de alta pureza de cristal único Al2O3 material
de grau óptico.
2A tecnologia especializada de polimento químico-mecnico (CMP) é
empregada para assegurar o seu desempenho rentável.
3Todas as orientações cristalinas apresentam uma excelente
qualidade de superfície (ruidez da superfície do plano C inferior a
0,2 nm, plano A, plano M, plano R, etc., inferior a 0,5 nm).
4.Limpeza numa zona de purificaço da classe 100 com água ultrapura
superior a 18 MΩ*cm para assegurar uma limpeza superior em cada
superfície da bolacha.
5Embalados em caixas de 25 wafers ou caixas de uma única wafer para
maximizar a flexibilidade da pesquisa do cliente.
6A cada bolacha é atribuído um número de série do produto para
efeitos de rastreabilidade.
7.Uma embalagem de carto racional e compacta garante um transporte
mais seguro e economias de custos.
8As bolinhas de especificaço padro esto geralmente disponíveis em
estoque para entrega rápida.
1P: Qual é a diferença entre a safira e as wafers de silício?
R: Os LEDs so as aplicações mais populares para safira. O material
é transparente e é um excelente condutor de luz.O silício é opaco e
no permite uma extracço eficiente da luzNo entanto, o material
semicondutor é ideal para LEDs, porque é barato e transparente.
2P: O que é safira em semicondutores?
A: de alta pureza de cristal único (AI2O3), o safiro é ideal para
os requisitos precisos e exigentes da fabricaço de semicondutores,
oferecendo uma transparência, mas durável, livre de
partículas,Soluço rentável em ambientes agressivos que se mostram
demasiado desafiadores para materiais de tecnologia inferior.
3.P: Por que há silício no Sapphire?
R: O SOS faz parte da família de tecnologias CMOS (complementar
MOS) de silício sobre isolador (SOI) em substratos de safira
aquecidos.A vantagem do safiro é que ele é um excelente isolante
elétrico, impedindo que as correntes errantes causadas pela radiaço
se espalhem para os elementos do circuito próximos.
1.0.1 mm Espessura Wafers de safira
2.2 polegadas A-Plano de cristal único Sapphire Wafer Substrato Al2O3
monocristalino