SiC tipo N em Wafer composto de Si 6 polegadas 150 mm SiC tipo 4H-N Si tipo N ou P

SiC tipo N em Wafer composto de Si 6 polegadas 150 mm SiC tipo 4H-N Si tipo N ou P

Resumo do tipo N SiC em Wafer composto de Si

O carburo de silício (SiC) de tipo N em wafers compostos de silício (Si) atraiu uma atenço significativa devido s suas aplicações promissoras em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência.Este estudo apresenta a fabricaço e caracterizaço do SiC do tipo N em wafers compostos de SiUtilizando a deposiço química de vapor (CVD), conseguimos cultivar com sucesso uma camada de SiC de alta qualidade de tipo N num substrato de Si,assegurar uma incompatibilidade e defeitos mínimos da redeA integridade estrutural da wafer composta foi confirmada através de análises de difraço de raios-X (XRD) e microscopia eletrônica de transmisso (TEM).que revela uma camada uniforme de SiC com excelente cristalinidadeAs medições elétricas demonstraram mobilidade superior do portador e reduço da resistência, tornando estas placas ideais para a próxima geraço de eletrônicos de potência.A condutividade térmica foi melhorada em comparaço com as wafers tradicionais de Si, contribuindo para uma melhor dissipaço de calor em aplicações de alta potência.Os resultados sugerem que o SiC de tipo N em wafers compostos de Si tem um grande potencial para a integraço de dispositivos baseados em SiC de alto desempenho com a plataforma de tecnologia de silício bem estabelecida.

Especificações e Diagrama EsquemáticoSiC de tipo N em Wafer Composto de Si

SiC de tipo N em fotos de Wafer composto de Si

SiC de tipo N em aplicações de Wafer de compostos de Si

O tipo N de SiC em wafers compostos de Si tem uma variedade de aplicações devido sua combinaço única de propriedades do carburo de silício (SiC) e do silício (Si).Estas aplicações concentram-se principalmente em sistemas de alta potênciaOs dispositivos eletrónicos de alta temperatura e de alta frequência têm algumas aplicações importantes:

1. Eletrónica de potência:

   • Dispositivos de alimentaço: O tipo N de Wafer SiC em Wafer Si é usado na fabricaço de dispositivos de potência, como diodos, transistores (por exemplo, MOSFETs, IGBTs) e retificadores.Estes dispositivos beneficiam da alta tenso de ruptura e baixa resistência de SiC, enquanto o substrato de Si permite uma integraço mais fácil com as tecnologias existentes base de silício.
   • Conversores e inversores: Estas placas so utilizadas em conversores e inversores para sistemas de energia renovável (por exemplo, inversores solares, turbinas eólicas), onde a converso eficiente de energia e a gesto do calor so cruciais.

2. Eletrônicos automotivos:

   • Veículos elétricos (VE): Nos veículos elétricos e híbridos, as placas de SiC de tipo N sobre Si so utilizadas em componentes do sistema de propulso, incluindo inversores, conversores e carregadores de bordo.A alta eficiência e estabilidade térmica do SiC permitem uma eletrônica de potência mais compacta e eficiente, conduzindo a um melhor desempenho e a uma maior duraço da bateria.
   • Sistemas de gesto de baterias (BMS): Estas placas so também utilizadas no BMS para gerir os elevados níveis de potência e tensões térmicas associadas ao carregamento e descarregamento de baterias em veículos elétricos.

3. Dispositivos de RF e microondas:

   • Aplicações de alta frequência: As placas de SiC sobre Si do tipo N so adequadas para dispositivos de radiofrequência (RF) e microondas, incluindo amplificadores e osciladores, utilizados em sistemas de telecomunicações e radar.A alta mobilidade eletrônica do SiC permite um processamento de sinal mais rápido em altas frequências.
   • Tecnologia 5G: Estas placas podem ser utilizadas em estações base 5G e noutros componentes da infra-estrutura de comunicações, onde so necessárias operações de alta potência e de frequência.

4. Aeronáutica e Defesa:

   • Ambiente áspero Eletrônica: Os wafers so usados em aplicações aeroespaciais e de defesa, onde a eletrônica deve funcionar de forma confiável sob temperaturas extremas, radiaço e estresse mecnico.A tolerncia e a durabilidade do SiC alta temperatura tornam-no ideal para tais ambientes.
   • Módulos de energia para satélites: Nos módulos de alimentaço por satélite, estas placas contribuem para uma gesto eficiente da energia e para uma fiabilidade a longo prazo nas condições espaciais.

5. Eletrónica industrial:

   • Motores de traço: As placas de SiC sobre Si do tipo N so utilizadas em motores industriais, onde aumentam a eficiência e reduzem o tamanho dos módulos de potência,levando a um menor consumo de energia e a um melhor desempenho em aplicações industriais de alta potência.
   • Grades inteligentes: Estas placas so essenciais para o desenvolvimento de redes inteligentes, onde a converso e distribuiço de energia de alta eficiência so fundamentais para a gesto das cargas elétricas e a integraço de energias renováveis.

6. Dispositivos médicos:

   • Eletrónica implantável: A biocompatibilidade e robustez do SiC, combinadas com as vantagens de processamento do Si,tornar essas placas adequadas para dispositivos médicos implantáveis que exigem alta fiabilidade e baixo consumo de energia.

Em resumo, o SiC tipo N em wafers compostos de Si é versátil e essencial em aplicações que exigem alta eficiência, confiabilidade e desempenho em ambientes desafiadores,tornando-os um material chave no avanço das tecnologias eletrónicas modernas.