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Wafer Si 4 polegadas Polido CZ Dopante arsénico (As) Boro (B) Fósforo (Ph) (100) Semicondutor
Uma bolacha de silício é um disco redondo muito fino cortado a partir de silício de alta pureza.Depois é limpo.Os wafers de silício so feitos de silício de alta pureza e so o material de dispositivos semicondutores.Estas placas podem também ser fabricadas com um entalhe SEMI ou uma ou duas placas SEMI.Somos especializados na produço de wafers de silício polido de alta qualidade para aplicações de semicondutores e eletrônicos.Nossas bolinhas de silício polidas de 100 mm oferecem material monocristalino de cristal único de primeira qualidade com resistência elétrica e especificações de variaço de espessura rigidamente controladasEste produto consiste em wafers de silício de dimetro de 100 mm cortados a partir de um único lingote de cristal cultivado utilizando o método Czochralski (CZ).Foram polidas de um lado ou de dois para obter uma uniformidade de espessura excepcional, desempenho de partículas, microrruido da superfície e especificações de planosidade.
A forma da Wafer de Si:
Nome do produto | Wafer polido de 4 polegadas |
Materiais | Silício |
Dimetro | 100 ± 0,2 mm |
Espessura | 525±15um / conforme solicitado |
Tipo/Dopante: | P/Boro ou N/As |
Resistividade | A pedido |
Orientaço | < 100> |
Grau | Prime/Teste de qualidade/Teste de qualidade |
Crescimento | CZ |
Localizaço primária | < 110> ± 1 |
Duraço plana primária | 32.5±2,5 mm |
Tolerncia de espessura | 500 ± 20 μm |
TTV | < 10 μm |
TIR | < 10um |
Warp. | < 30 μm |
Incline-se. | < 30 μm |
Superfície frontal | Poluiço |
Superfície traseira | Moagem |
Oxidaço | Oxidaço em estado úmido |
OFotografia física de Wafer de Si:
OAplicaçode Wafer de Si:
1Produço de microchips e fabricaço de circuitos integrados
2MEMS e sistemas microelectromecnicos
3Fabricaço de semicondutores e sensores
4Iluminaço LED e criaço de diodos laser
5Células e wafers solares/fotovoltaicas
6. Componentes de equipamento óptico
7Painéis sandwich isolados
8. Prototipos e ensaios de I&D
OImagens de aplicaçode Wafer de Si:
Somos especializados no processamento e fornecimento de vários tipos de wafers de silício de alta qualidade.
Métodos de crescimento de wafers de silício de cristal único: CZ
(Czochralski), MCZ e outros.
Tamanhos: 2", 4", 5", 6", 8", bem como dimetros personalizados e
wafers de silício de forma no padro.
Revestimentos de superfície: polidos de um lado, polidos de dois,
moídos, etc.
Tipos de condutividade: semicondutores intrínsecos de tipo N, tipo
P.
Especificações: adaptadas a uma ampla gama de aplicações.
Capacidade de fornecimento: Inventário extensivo com vários tipos
disponíveis em estoque.
Flexibilidade de processamento: processamento personalizado de
várias especificações, adaptado s necessidades do cliente com
prazos de entrega curtos.
1Q: Que acabamentos de superfície podemos fornecer?
R: Oferecemos wafers com polimento de lado duplo (DSP), polimento
de lado único (SSP) ou superfícies gravadas / gravadas.
2Q: Que personalizações esto disponíveis?
R: Nossas capacidades incluem marcaço a laser, rotulagem de wafer e
várias modificações de bordas como cortes ou entalhes para suas
exigências exatas.
3Q: Que tamanhos oferece?
R: Além de nossas bolachas de silício de 4 polegadas (100 mm),
também fornecemos tamanhos de 2 ′′, 3 ′′, 150 mm, 200 mm e 300 mm
de dimetro. Outros tamanhos personalizados podem estar disponíveis
mediante solicitaço.
1.Dispositivo eletrônico de Wafer de Si de cristal único Substrato de fotolitografia Camada 2"3"4"6"8"
2.Orientaço da Wafer de Silício CZ111 Resistividade: 1-10 (ohm. cm) polimento de lado único ou duplo