Wafer Si 4 polegadas Polido CZ Dopante arsénico (As) Boro (B) Fósforo (Ph) (100) Semicondutor

Condições de pagamento:T/T
Prazo de entrega:2-4 semanas
Local de origem:China
Materiais:Silício
Diâmetro:100 mm
dopante:P/Boro ou N/As
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Shanghai Shanghai China
Endereço: Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto

Wafer Si 4 polegadas Polido CZ Dopante arsénico (As) Boro (B) Fósforo (Ph) (100) Semicondutor

Descriço do Si Wafer:

Uma bolacha de silício é um disco redondo muito fino cortado a partir de silício de alta pureza.Depois é limpo.Os wafers de silício so feitos de silício de alta pureza e so o material de dispositivos semicondutores.Estas placas podem também ser fabricadas com um entalhe SEMI ou uma ou duas placas SEMI.Somos especializados na produço de wafers de silício polido de alta qualidade para aplicações de semicondutores e eletrônicos.Nossas bolinhas de silício polidas de 100 mm oferecem material monocristalino de cristal único de primeira qualidade com resistência elétrica e especificações de variaço de espessura rigidamente controladasEste produto consiste em wafers de silício de dimetro de 100 mm cortados a partir de um único lingote de cristal cultivado utilizando o método Czochralski (CZ).Foram polidas de um lado ou de dois para obter uma uniformidade de espessura excepcional, desempenho de partículas, microrruido da superfície e especificações de planosidade.

 

O Caráter da Wafer de Si:
1. Qualidade superior Todos os wafers de silício so novos, wafers de silício virgem nunca foram usados ou reutilizados
2. Superfície preparada para epi Nossa Prime grade wafers de silício têm superfícies preparadas para epi premium
3. Material monocristalino Todos os wafers so feitos de material de silício monocristalino de primeira qualidade
4Excedem os padrões da indústria As nossas placas de silício de 100 mm excedem as especificações do SEMI e os padrões da indústria
5. Aplicações versáteis Os nossos wafers de silício de 100 mm so adequados para uma ampla gama de aplicações, incluindo a fabricaço de semicondutores, investigaço e desenvolvimento e fins educativos
6. Confiados pelos líderes da indústria Os nossos wafers de silício de 100 mm so amplamente utilizados pelas principais fábricas de semicondutores, centros de I&D, universidades e linhas piloto em todo o mundo
7- Controle e inspecço da qualidade - Cada bolacha é submetida a uma inspecço e testes de qualidade abrangentes
8. Secure Packaging – Wafers are packaged in dedicated ultra-clean PP cassettes and double-bagged in antistatic bags under class 100 cleanroom conditions to protect the surface from particulate contamination
9. Preços competitivos WaferPro oferece preços competitivos com descontos de quantidade disponíveis
10Certificado de Conformidade - A COC é incluída em cada encomenda, indicando as especificações exatas da bolacha.

A forma da Wafer de Si:

 

Nome do produtoWafer polido de 4 polegadas
MateriaisSilício
Dimetro100 ± 0,2 mm
Espessura525±15um / conforme solicitado
Tipo/Dopante:P/Boro ou N/As
ResistividadeA pedido
Orientaço< 100>
GrauPrime/Teste de qualidade/Teste de qualidade
CrescimentoCZ
Localizaço primária< 110> ± 1
Duraço plana primária32.5±2,5 mm
Tolerncia de espessura500 ± 20 μm
TTV< 10 μm
TIR< 10um
Warp.< 30 μm
Incline-se.< 30 μm
Superfície frontalPoluiço
Superfície traseiraMoagem
OxidaçoOxidaço em estado úmido

 

 

OFotografia física de Wafer de Si:

 

 

OAplicaçode Wafer de Si:

1Produço de microchips e fabricaço de circuitos integrados
2MEMS e sistemas microelectromecnicos
3Fabricaço de semicondutores e sensores
4Iluminaço LED e criaço de diodos laser
5Células e wafers solares/fotovoltaicas
6. Componentes de equipamento óptico
7Painéis sandwich isolados
8. Prototipos e ensaios de I&D

 

OImagens de aplicaçode Wafer de Si:

 

 

Personalizaço:

Somos especializados no processamento e fornecimento de vários tipos de wafers de silício de alta qualidade.

Métodos de crescimento de wafers de silício de cristal único: CZ (Czochralski), MCZ e outros.
Tamanhos: 2", 4", 5", 6", 8", bem como dimetros personalizados e wafers de silício de forma no padro.
Revestimentos de superfície: polidos de um lado, polidos de dois, moídos, etc.
Tipos de condutividade: semicondutores intrínsecos de tipo N, tipo P.
Especificações: adaptadas a uma ampla gama de aplicações.

Capacidade de fornecimento: Inventário extensivo com vários tipos disponíveis em estoque.
Flexibilidade de processamento: processamento personalizado de várias especificações, adaptado s necessidades do cliente com prazos de entrega curtos.

 

Perguntas frequentes:

1Q: Que acabamentos de superfície podemos fornecer?
R: Oferecemos wafers com polimento de lado duplo (DSP), polimento de lado único (SSP) ou superfícies gravadas / gravadas.

2Q: Que personalizações esto disponíveis?
R: Nossas capacidades incluem marcaço a laser, rotulagem de wafer e várias modificações de bordas como cortes ou entalhes para suas exigências exatas.

3Q: Que tamanhos oferece?
R: Além de nossas bolachas de silício de 4 polegadas (100 mm), também fornecemos tamanhos de 2 ′′, 3 ′′, 150 mm, 200 mm e 300 mm de dimetro. Outros tamanhos personalizados podem estar disponíveis mediante solicitaço.

 

Recomendaço do produto:

1.Dispositivo eletrônico de Wafer de Si de cristal único Substrato de fotolitografia Camada 2"3"4"6"8"

 

 

2.Orientaço da Wafer de Silício CZ111 Resistividade: 1-10 (ohm. cm) polimento de lado único ou duplo

 

 

 

 

 

 

 

 

China Wafer Si 4 polegadas Polido CZ Dopante arsénico (As) Boro (B) Fósforo (Ph) (100) Semicondutor supplier

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