8 polegadas GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N tipo P tipo de personalização semicondutor RF LED

8 polegadas GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N-tipo P-tipo de personalizaço semicondutor RF LED

Descriço das Wafers GaN-on-Si:

As placas GaN-on-Si MMIC e Si CMOS de 8 polegadas de dimetro (acima, esquerda) so integradas em 3D na escala da wafer.O substrato de Si da bolacha de silício sobre o isolante é completamente removido por moagem e gravura úmida seletiva para parar no óxido enterrado (BOX)As vias para a parte de trás do CMOS e para a parte superior dos circuitos GaN so gravadas separadamente e interconectadas com um metal superior.A integraço vertical minimiza o tamanho do chip e reduz a distncia de interconexo para reduzir a perda e o atrasoAlém da abordagem de ligaço óxido-óxido, está em curso um trabalho para expandir as capacidades da abordagem de integraço 3D através da utilizaço de interconexões de ligações híbridas,que permitiria ligações elétricas diretas entre as duas wafers sem vias separadas para os circuitos GaN e CMOS.

Características das bolhas de GaN-on-Si:

Alta uniformidade
Corrente de baixa fuga
Temperaturas de funcionamento mais elevadas
Excelente característica de 2DEG
Alta tenso de ruptura (600V-1200V)
Resistência de ligaço inferior
Frequências de comutaço mais elevadas
Frequências de funcionamento mais elevadas (até 18 GHz)

Processo compatível com CMOS para MMICs GaN-on-Si

A utilizaço de substrato de Si de 200 mm de dimetro e ferramentas CMOS reduz os custos e aumenta o rendimento

Integraço 3D em escala de wafer de GaN MMICs com CMOS para melhorar as funcionalidades com benefícios de tamanho, peso e potência melhorados

A forma das bolhas de GaN-on-Si:

A foto física de GaN-on-Si Wafers:

Aplicaço de Wafers GaN-on-Si:

1Iluminaço: Os substratos GaN-on-Si so utilizados na fabricaço de diodos emissores de luz (LED) de alta luminosidade para várias aplicações, como iluminaço geral, iluminaço automotiva,Iluminaço de fundo para ecrsOs LEDs GaN so eficientes em termos energéticos e duráveis.
2Eletrônicos de potência: Os substratos GaN-on-Si so utilizados na produço de dispositivos eletrônicos de potência, como transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT) e diodos Schottky.Estes dispositivos so utilizados em fontes de alimentaço, inversores e conversores devido sua elevada eficiência e rapidez de comutaço.
3Comunicaço sem fio: Os substratos GaN-on-Si so utilizados no desenvolvimento de dispositivos RF de alta frequência e alta potência para sistemas de comunicaço sem fio, como sistemas de radar, comunicaço por satélite,e estações de baseOs dispositivos GaN RF oferecem uma elevada densidade de potência e eficiência.
4. Automóveis: Os substratos GaN-on-Si so cada vez mais utilizados na indústria automóvel para aplicações como carregadores integrados, conversores DC-DC e motores devido sua alta densidade de potência,eficiência e fiabilidade.
5Energia solar: substratos GaN-on-Si podem ser utilizados na produço de células solares,onde a sua elevada eficiência e resistência aos danos causados pela radiaço podem ser vantajosas para aplicações espaciais e fotovoltaicos concentrados.
6Sensores: Os substratos GaN-on-Si podem ser utilizados no desenvolvimento de sensores para várias aplicações, incluindo sensores de gases, sensores UV e sensores de presso,devido sua elevada sensibilidade e estabilidade.
7Biomédica: Os substratos GaN-on-Si têm aplicações potenciais em dispositivos biomédicos para detecço, imagem e terapia devido sua biocompatibilidade, estabilidade,e capacidade de operar em ambientes adversos.
8Eletrônicos de Consumo: Os substratos GaN-on-Si so usados em eletrônicos de consumo para várias aplicações, como carregamento sem fio, adaptadores de energia,e circuitos de alta frequência devido sua alta eficiência e tamanho compacto.

Imagem de aplicaço de Wafers GaN-on-Si:

Perguntas frequentes:

1.P: Qual é o processo de GaN no silício?
R: Tecnologia de empilhamento 3D. Após a separaço, a bolacha doadora de silício se fende ao longo de um plano de cristal enfraquecido e, assim, deixa uma fina camada de material de canal de silício na bolacha GaN.Este canal de silício é ento processado em transistores PMOS de silício na wafer GaN.

2Q: Quais so as vantagens do nitruro de gálio em relaço ao silício?
R: O nitruro de gálio (GaN) é um semicondutor binário III/V muito duro, mecanicamente estável, com maior resistência quebra, velocidade de comutaço mais rápida,maior condutividade térmica e menor resistência ao on, os dispositivos de potência baseados em GaN superam significativamente os dispositivos baseados em silício.

Recomendaço do produto:

1Wafer de Si de 2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas Wafer de silício Polido sem-tópico tipo P tipo N tipo semicondutor

2Wafer de Nitreto de Gállio GaN de 2 a 4 polegadas