Largura de banda do substrato N-InP 02:2Wafer epi de comprimento de onda de.5G de 1270 nm para diodo laser FP

Largura de banda do substrato N-InP 02:2Wafer epi de comprimento de onda.5G de 1270 nm para diodo laser FP

O substrato N-InP FP Epiwafer's Overview

Nosso N-InP Substrate FP Epiwafer é uma bolacha epitaxial de alto desempenho projetada para a fabricaço de diodos laser Fabry-Pérot (FP), especificamente otimizados para aplicações de comunicaço óptica.Este Epiwafer possui um substrato de Índio Fosfeto (N-InP) tipo N, um material conhecido pelas suas excelentes propriedades eletrónicas e optoeletrónicas, tornando-o ideal para dispositivos de alta velocidade e de alta frequência.

O Epiwafer foi concebido para produzir diodos a laser a um comprimento de onda de 1270 nm.que é um comprimento de onda crítico para sistemas de multiplexagem por diviso de comprimento de onda grosseira (CWDM) em comunicações de fibra ópticaO controlo preciso da composiço e espessura da camada epitaxial garante um desempenho óptimo, com o diodo laser FP capaz de atingir uma largura de banda operacional de até 2,5 GHz.Esta largura de banda torna o dispositivo adequado para transmisso de dados de alta velocidade, que suportam aplicações que exigem uma comunicaço rápida e fiável.

A estrutura da cavidade Fabry-Pérot (FP) do diodo laser, facilitada pelas camadas epitaxiais de alta qualidade no substrato InP,garante a geraço de luz coerente com ruído mínimo e elevada eficiênciaEste Epiwafer foi concebido para proporcionar um desempenho consistente e fiável, tornando-o uma excelente escolha para os fabricantes que pretendem produzir diodos laser de ponta para telecomunicações,Centros de dados, e outros ambientes de rede de alta velocidade.

Em resumo, o nosso N-InP Substrate FP Epiwafer é um componente crítico para sistemas avançados de comunicaço óptica, oferecendo excelentes propriedades de material, direcionamento de comprimento de onda preciso,e largura de banda operacional elevadaProporciona uma base sólida para a produço de diodos laser FP que satisfaçam as exigências rigorosas das redes de comunicaço de alta velocidade modernas.

Propriedades do substrato N-InP FP Epiwafer

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsAbaixo esto as principais propriedades deste Epiwafer:

1. Material de substrato:

   • Tipo: Fósforo de índio de tipo N (N-InP)
   • Propriedades: Alta mobilidade eletrônica, baixa resistividade e excelente condutividade térmica, tornando-o adequado para aplicações eletrônicas e optoeletrônicas de alta velocidade.

1. Camada epitaxial:

   • Técnica de crescimento: As camadas epitaxiais so cultivadas no substrato N-InP utilizando técnicas como a Depensaço de Vapor Químico Metal-Orgnico (MOCVD) ou a Epitaxia de Feixe Molecular (MBE).
   • Composiço da camada: Controle preciso da concentraço de dopagem e da composiço dos materiais para alcançar as propriedades electrónicas e ópticas desejadas.

2. Comprimento de onda:

   • Comprimento de onda alvo: 1270 nm
   • Aplicaço: Ideal para multiplexaço por diviso de comprimento de onda grosseira (CWDM) em sistemas de comunicaço de fibra óptica.

3. Largura de banda:

   • Largura de banda operacional: Até 2,5 GHz
   • Desempenho: Adequado para a transmisso de dados de alta velocidade, garantindo um desempenho fiável nas telecomunicações e redes de dados.

4. Cavidade de Fabry-Pérot:

   • Estrutura: O Epiwafer suporta a formaço de uma cavidade de Fabry-Pérot, essencial para gerar luz coerente com alta eficiência.
   • Propriedades do laser: Produz diodos laser com ruído mínimo, emisso de comprimento de onda estável e alta potência de saída.

5. Qualidade da superfície:

   • Poluiço: A superfície do substrato é altamente polida para minimizar defeitos, garantindo uma camada epitaxial de alta qualidade com deslocamentos mínimos.

6. Propriedades térmicas:

   • Dissipaço de calor: A excelente condutividade térmica do substrato N-InP permite uma efetiva dissipaço de calor, crucial para manter o desempenho e a longevidade do diodo laser.

7. Adequaço da aplicaço:

   • Dispositivos alvo: concebido para diodos laser FP utilizados em sistemas de comunicaço óptica, centros de dados e outros ambientes de rede de alta velocidade.

Estas propriedades contribuem colectivamente para a capacidade do Epiwafer para apoiar a produço de diodos laser FP de alta qualidade,satisfazer as exigências rigorosas das tecnologias de comunicaço óptica modernas.

Aplicações do substrato N-InP FP Epiwafer

O N-InP Substrate FP Epiwafer é um componente crítico no desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos avançados, particularmente os diodos laser Fabry-Pérot (FP).As suas propriedades tornam-no adequado para uma ampla gama de aplicações em comunicações de alta velocidade e campos relacionadosAqui esto as principais aplicações:

1. Sistemas de comunicaço óptica:

   • Transmisso por fibra óptica: O Epiwafer é ideal para a fabricaço de diodos laser FP que operam no comprimento de onda de 1270 nm, comumente utilizados em sistemas de multiplexagem por diviso de comprimento de onda grosseira (CWDM).Estes sistemas dependem de um controle preciso do comprimento de onda para transmitir vários canais de dados através de uma única fibra, aumentando a largura de banda sem a necessidade de fibras adicionais.
   • Ligações de dados de alta velocidade: A wafer suporta diodos laser com uma largura de banda operacional de até 2,5 GHz, tornando-a adequada para aplicações de transmisso de dados de alta velocidade,Incluindo redes de área metropolitana (MAN) e redes ópticas de longa distncia.

2. Centros de dados:

   • Interligações: Os diodos laser FP fabricados a partir deste Epiwafer so utilizados em interconexões ópticas dentro de centros de dados, onde a comunicaço de alta velocidade e baixa latência é crucial.Estes lasers garantem uma transferência de dados eficiente entre servidores, sistemas de armazenamento e equipamento de rede.
   • Infraestrutura de computaço em nuvem: medida que os serviços em nuvem exigem taxas de dados cada vez maiores, os diodos laser FP ajudam a manter o desempenho e a fiabilidade das redes de centros de dados, apoiando a grande escala,ambientes de computaço distribuídos.

3. Serviços de telecomunicações:

   • Redes 5G: O Epiwafer é utilizado na produço de diodos laser para infra-estruturas de telecomunicações 5G, onde so necessárias altas taxas de transferência de dados e conexões fiáveis.Os diodos laser FP fornecem os sinais ópticos necessários para a transmisso de dados através do backbone das redes 5G.
   • FTTx (Fibra para x): Esta tecnologia envolve a implantaço de redes de fibra óptica mais próximas dos utilizadores finais (domicílios, empresas) e os diodos laser FP so componentes-chave dos transmissores ópticos utilizados nos sistemas FTTx.

4. Equipamento de ensaio e mediço:

   • Analisadores de espectro óptico: Os diodos laser FP produzidos a partir deste Epiwafer so utilizados em analisadores de espectro óptico, que so ferramentas essenciais para testar e medir o desempenho dos sistemas de comunicaço óptica.
   • Tomografia de coerência óptica (OCT): Na imagem médica, em especial nos sistemas OCT, os diodos laser FP oferecem a fonte de luz necessária para a imagem de alta resoluço dos tecidos biológicos.

5. Sensores e Metrologia:

   • Sensores ópticos: A preciso e a estabilidade dos diodos laser FP tornam-nos adequados para a utilizaço em sensores ópticos para monitorizaço ambiental, controlo de processos industriais e aplicações biomédicas.
   • Distncia e sistemas de posicionamento: Os diodos laser FP so também utilizados em sistemas que exigem medições precisas de distncia, como o LIDAR (Light Detection and Ranging) e outras tecnologias de posicionamento.

A versatilidade e as características de alto desempenho do N-InP Substrate FP Epiwafer tornam-no uma pedra angular para uma ampla gama de tecnologias de ponta em comunicações ópticas, centros de dados,serviços de telecomunicações, e além.

Fotos do substrato N-InP FP Epiwafer