FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 polegadas espessura 350-650um InGaAs doping
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FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrato dia 2 3 4 6 polegadas espessura:350-650um InGaAs doping
FP ((Fabry-Perot)) Abstract do substrato InP do Epiwafer
O Epiwafer Fabry-Perot (FP) em substratos de Fosfeto de Índio (InP) é um componente crítico na fabricaço de dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho,especialmente diodos laser utilizados em sistemas de comunicaço ópticaO substrato InP oferece excelente correspondência de rede com materiais como o InGaAsP, permitindo o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.Faixa de comprimento de onda de 55 μm, tornando-os ideais para a comunicaço por fibra óptica devido s características de baixa perda das fibras ópticas neste espectro.so amplamente utilizadas em interconexões de centros de dados, detecço ambiental e diagnóstico médico, proporcionando soluções rentáveis com bom desempenho.A estrutura mais simples dos lasers FP em comparaço com projetos mais complexos como os lasers DFB (Distributed Feedback) torna-os uma escolha popular para aplicações de comunicaço de médio alcanceOs epiwafers FP baseados em inP so essenciais em indústrias que exigem componentes ópticos de alta velocidade e confiáveis.
FP ((Fabry-Perot)) Vitrine do substrato Epiwafer InP
FP ((Fabry-Perot)) Folha de dados do substrato InP do Epiwafer
FP ((Fabry-Perot)) Estrutura do substrato InP do Epiwafer
- InP Substrato (base)
- Camada tampo (amaciamento da superfície)
- Regio ativa (poços qunticos)
- Camadas de revestimento (confinamento óptico)
- Camadas do tipo P e do tipo N (injecço de transportador)
- Camadas de contacto (contatos elétricos)
- Facetas refletoras (cavidade do laser FP)
FP ((Fabry-Perot)) Aplicaço do substrato InP do Epiwafer
Os Epiwafers Fabry-Perot (FP) em substratos de Fosfeto de Índio (InP) so amplamente usados em várias aplicações optoeletrônicas devido s suas propriedades eficientes de emisso de luz, particularmente no 1.3 μm a 1.55 μm gama de comprimento de onda. Abaixo esto as principais aplicações:
1.Comunicaço por fibra óptica
- Diodos a laser: Os lasers FP so comumente utilizados como fontes de luz em sistemas de comunicaço de fibra óptica, especialmente para transmisso de dados de curta a média distncia.operando a comprimentos de onda que minimizam a perda de sinal nas fibras ópticas.
- Transmissores e módulos ópticos: Os lasers FP integrados em transceptores ópticos permitem a converso de sinais eléctricos em sinais ópticos para a transmisso de dados através de redes de fibra óptica.
2.Interconexões do Data Center
- Conectividade de alta velocidade: Os lasers FP nos centros de dados fornecem interconexões ópticas de alta velocidade e baixa latência entre servidores e equipamentos de rede.
3.Sensores ambientais e detecço de gases
- Sensores de gás: Os lasers FP so utilizados em sistemas de detecço de gases para detectar gases específicos, como o CO2 e o CH4, ajustando-os aos comprimentos de onda de absorço destes gases.Estes sistemas so utilizados para aplicações de monitorizaço ambiental e segurança industrial.
4.Diagnóstico médico
- Tomografia de coerência óptica (OCT): Os lasers FP so utilizados em sistemas OCT para imagens médicas no invasivas, particularmente em oftalmologia, dermatologia e diagnóstico cardiovascular.Estes sistemas aproveitam a alta velocidade e preciso dos lasers FP para imagens de tecidos detalhadas.
5.Sistemas LIDAR
- Veículos autônomos e mapeamento: Os lasers FP so utilizados em sistemas LIDAR (Light Detection and Ranging) para aplicações como conduço autónoma, mapeamento 3D e digitalizaço do ambiente,Quando forem essenciais medições de distncia de alta resoluço.
6.Circuitos fotónicos integrados (PIC)
- Fotónica integradaFP Epiwafers so materiais fundamentais para o desenvolvimento de circuitos fotónicos integrados que integram vários dispositivos fotónicos (por exemplo, lasers,detectores) num único chip para processamento e comunicaço de sinais de alta velocidade.
7.Comunicaço por satélite e aeroespacial
- Comunicaço de Alta Frequência: Os lasers FP baseados em InP so utilizados em sistemas de comunicaço por satélite para transmisso de dados de alta frequência a longa distncia em aplicações espaciais e aeroespaciais.
8.Investigaço e Desenvolvimento
- Protótipos e testes: FP Epiwafers so utilizados na investigaço e desenvolvimento para o desenvolvimento de novos dispositivos optoeletrônicos, para melhorar o desempenho dos diodos laser e para explorar novos comprimentos de onda para tecnologias emergentes.
Estas aplicações destacam a versatilidade dos Epiwafers FP em substratos InP, que proporcionam soluções eficientes e rentáveis em domínios como as telecomunicações, o diagnóstico médico, a tecnologia e a tecnologia.Sensores ambientais, e sistemas ópticos de alta velocidade.
FP ((Fabry-Perot)) A vantagem do substrato InP do Epiwafer
Emisso de luz eficiente em comprimentos de onda chave:
- Os epiwafers FP em substratos InP so otimizados para a emisso na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, alinhada com as janelas de transmisso de baixa perda nas fibras ópticas,tornando-os ideais para comunicaço por fibra óptica.
Performance em alta velocidade:
- Os substratos InP têm uma excelente mobilidade eletrônica, permitindo que os lasers FP realizem operações de alta velocidade e suportem a transmisso de dados de alta frequência.Isto os torna adequados para aplicações de alta largura de banda como data centers e telecomunicações.
Fabricaço econômica:
- Em comparaço com estruturas de laser mais complexas, como os lasers de Feedback Distribuído (DFB), os lasers FP têm um design mais simples.Isto resulta em custos de produço mais baixos, ao mesmo tempo em que proporciona um bom desempenho para aplicações de curto a médio alcance.
Aplicações versáteis:
- Os epiwafers FP so usados em uma ampla gama de aplicações, desde comunicaço de fibra óptica e interconexões de data centers até sensoriamento ambiental, diagnósticos médicos (OCT) e sistemas LIDAR.A sua versatilidade é uma grande vantagem em todos os sectores..
Processo de fabricaço mais simples:
- Os lasers FP so mais fáceis de fabricar em comparaço com outros tipos de lasers, como os lasers DFB, devido sua dependência de facetas clavadas naturalmente refletoras em vez de grades complexas,Reduço da complexidade e custo da fabricaço.
Boa flexibilidade de comprimento de onda:
- Os lasers FP podem ser ajustados numa gama de comprimentos de onda ajustando a corrente ou a temperatura, proporcionando flexibilidade para diferentes aplicações, especialmente em sistemas de detecço e comunicaço.
Baixo consumo de energia:
- Os lasers FP baseados em epiwafers InP tendem a ter um menor consumo de energia, tornando-os eficientes para implantações em larga escala em redes de comunicaço de dados e sensores, onde a eficiência de energia é crítica.
FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 polegadas espessura 350-650um InGaAs doping
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