InP DFB Epiwafer comprimento de onda 1390nm InP substrato 2 4 6 polegadas para 2,5 ~ 25G DFB diodo laser

InP DFB Epiwafer comprimento de onda 1390nm InP substrato 2 4 6 polegadas para 2,5 ~ 25G DFB diodo laser

InP DFB Epiwafer InP substrato de resumo

InP DFB Epiwafers projetados para aplicações de comprimento de onda de 1390 nm so componentes críticos usados em sistemas de comunicaço óptica de alta velocidade, particularmente para 2.Diodos a laser DFB (Reflexo Distribuída) de 5 a 25 GbpsEssas wafers so cultivadas em substratos de fósforo de ínio (InP) usando técnicas avançadas de deposiço de vapor químico orgnico-metálico (MOCVD) para obter camadas epitaxial de alta qualidade.

A regio ativa do laser DFB é tipicamente fabricada usando InGaAlAs ou InGaAsP poços qunticos múltiplos quaternários (MQWs), que so projetados para ser compensados por tenso.Isto garante um desempenho e estabilidade ótimos para a transmisso de dados de alta velocidadeOs wafers esto disponíveis em vários tamanhos de substrato, incluindo 2 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas, para atender s diversas necessidades de fabricaço.

O comprimento de onda de 1390 nm é ideal para sistemas de comunicaço óptica que exigem uma saída de modo único precisa com baixa disperso e perda,tornando-o particularmente adequado para redes de comunicaço de médio alcance e aplicações de detecçoOs clientes podem realizar a formaço da grelha ou solicitar serviços de epihouse, incluindo o re-growth para personalizaço adicional.

Estes epiwafers so especificamente concebidos para atender s exigências dos sistemas modernos de telecomunicações e comunicaço de dados, proporcionando eficiência,soluções de alto desempenho para transceptores ópticos e módulos a laser em redes de alta velocidade.

InP DFB Epiwafer Estrutura do substrato InP

InP DFB Epiwafer Resultado do ensaio de mapeamento PL do substrato InP

InP DFB Epiwafer Resultado do ensaio XRD e ECV do substrato InP

InP DFB Epiwafer As fotos reais do substrato InP

InP DFB Epiwafer Propriedades do substrato InP

Propriedades do Epiwafer DFB InP no substrato InP

Material de substrato: fosfato de ídio (InP)

• Combinaço de rede: InP proporciona uma excelente correspondência entre a rede e as camadas epitaxiais, tais como InGaAsP ou InGaAlAs, garantindo um crescimento epitaxial de alta qualidade com um esforço e defeitos mínimos,que é crucial para o desempenho dos lasers DFB.
• Bandgap direto: InP tem uma banda de 1,344 eV, o que o torna ideal para emitir luz no espectro infravermelho, particularmente em comprimentos de onda como 1,3 μm e 1,55 μm, comumente utilizados na comunicaço óptica.

Camadas epitaxianas

• Regio activa: A regio ativa consiste tipicamente de poços qunticos múltiplos quaternários (MQWs) InGaAsP ou InGaAlAs. Estes MQWs so compensados pela tenso para melhorar o desempenho,assegurando uma recombinaço eficiente entre elétrons e buracos e um elevado ganho óptico.
• Camadas de revestimento: Estas camadas fornecem confinamento óptico, garantindo que a luz permaneça dentro da regio ativa, aumentando a eficiência do laser.
• Camada de grelha: A estrutura integrada da grelha fornece feedback para a operaço de modo único, garantindo uma emisso estável e de largura de linha estreita.A grade pode ser fabricada pelo cliente ou oferecida pelo fornecedor do epiwafer.

Comprimento de onda operacional:

• 1390 nm: O laser DFB é otimizado para operar a 1390 nm, o que é adequado para aplicações em comunicaço óptica, incluindo redes de metrô e de longa distncia.

Capacidade de modulaço de alta velocidade:

• O epiwafer foi projetado para uso em lasers DFB que suportam velocidades de transmisso de dados de 2,5 Gbps a 25 Gbps, tornando-o ideal para sistemas de comunicaço óptica de alta velocidade.

Estabilidade de temperatura:

• Os epiwafers DFB baseados em inP fornecem excelente estabilidade de temperatura, garantindo emisso de comprimento de onda consistente e desempenho confiável em diferentes ambientes operacionais.

Modo único e largura de linha estreita:

• Os lasers DFB oferecem uma operaço de modo único com largura de linha espectral estreita, reduzindo a interferência do sinal e melhorando a integridade da transmisso de dados, o que é essencial para redes de comunicaço de alta velocidade.

O Epiwafer DFB InP num substrato InP proporciona uma excelente correspondência de rede, capacidade de modulaço de alta velocidade, estabilidade de temperatura e operaço de modo único precisa,tornando-se um componente chave em sistemas de comunicaço óptica que operam a 1390 nm para taxas de dados de 2.5 Gbps a 25 Gbps.

Ficha de dados

Mais dados esto no nosso documento PDF, clique neleZMSH DFB inp epiwafer.pdf