Wafer SiC de 6 polegadas 4H/6H-P Substrato de Carbono de Silício DSP (111) Semicondutor RF Microondas Laser LED

Wafer SiC de 6 polegadas 4H/6H-P Substrato de Carbono de Silício DSP (111) Semicondutor RF Microondas Laser LED

Descriço da Wafer SiC:

O Wafer de Carbono de Silício (SiC) de tipo P de 6 polegadas em politipo 4H ou 6H. Ele tem propriedades semelhantes s da wafer de Carbono de Silício (SiC) de tipo N, como resistência a altas temperaturas,Alta condutividade térmica, alta condutividade elétrica, etc. O substrato SiC do tipo P é geralmente usado para a fabricaço de dispositivos de energia, especialmente a fabricaço de transistores bipolares de porto isolado (IGBT).O projeto de IGBT geralmente envolve junções P-N, onde o SiC de tipo P pode ser vantajoso para controlar o comportamento dos dispositivos.

O Caráter da Wafer SiC:

1Resistência radiaço:
O carburo de silício é altamente resistente aos danos causados pela radiaço, tornando as wafers 4H/6H-P SiC ideais para uso em aplicações espaciais e nucleares onde a exposiço radiaço é significativa.

2Larga Bandgap:
4H-SiC: A distncia de banda é de aproximadamente 3,26 eV.
6H-SiC: a banda é ligeiramente menor, a cerca de 3,0 eV.
Essas largas faixas de banda permitem que as placas de SiC operem a temperaturas e tensões mais altas em comparaço com materiais base de silício, tornando-as ideais para eletrônicos de potência e condições ambientais extremas.
3Campo elétrico de alta degradaço:
As placas de SiC têm um campo elétrico de quebra muito maior (cerca de 10 vezes maior que o do silício), o que permite o projeto de dispositivos de energia menores e mais eficientes que podem lidar com altas tensões.
4. Alta condutividade térmica:
O SiC possui excelente condutividade térmica (cerca de 3-4 vezes superior ao silício), permitindo que dispositivos feitos a partir dessas placas operem a alta potência sem superaquecimento.Isso os torna ideais para aplicações de alta potência onde a dissipaço de calor é crítica.
5Alta Mobilidade Electrónica:
O 4H-SiC tem uma maior mobilidade eletrônica (~ 950 cm2/Vs) em comparaço com o 6H-SiC (~ 400 cm2/Vs), o que significa que o 4H-SiC é mais adequado para aplicações de alta frequência.
Esta alta mobilidade de elétrons permite velocidades de comutaço mais rápidas em dispositivos eletrônicos, tornando o 4H-SiC preferível para aplicações de RF e microondas.
6Estabilidade a temperatura:
Os Wafers de SiC podem funcionar a temperaturas muito superiores a 300°C, muito mais elevadas do que os dispositivos base de silício, que so tipicamente limitados a 150°C. Isso os torna altamente desejáveis para uso em ambientes adversos,como automóveis, aeroespacial e sistemas industriais.
7. Alta resistência mecnica:
As placas de SiC so mecanicamente robustas, com excelente dureza e resistência ao esforço mecnico.

Forma da Wafer SiC:

Aplicaço da Wafer SiC:

Eletrónica de Potência:

Usado em diodos, MOSFETs e IGBTs para aplicações de alta tenso e alta temperatura, como veículos elétricos, redes elétricas e sistemas de energia renovável.
Dispositivos de RF e microondas:

Ideal para dispositivos de alta frequência, como amplificadores de RF e sistemas de radar.
LEDs e lasers:

O SiC é também utilizado como material de substrato para a produço de LEDs e lasers base de GaN.
Eletrónica automóvel:

Utilizado em componentes do sistema de transmisso de veículos elétricos e sistemas de carregamento.
Aeroespacial e Militar:

Devido sua dureza de radiaço e estabilidade térmica, as placas de SiC so usadas em satélites, radares militares e outros sistemas de defesa.
Aplicações industriais:

Empregado em fontes de alimentaço industriais, motores e outros sistemas eletrónicos de alta potência e alta eficiência.

Imagem de aplicaço de Wafer SiC:

Personalizaço:

A personalizaço de wafers de carburo de silício (SiC) é essencial para atender s necessidades específicas de várias aplicações eletrônicas, industriais e científicas avançadas.Podemos oferecer uma gama de parmetros personalizáveis para garantir que as placas so otimizadas para requisitos de dispositivos específicos. Abaixo esto os principais aspectos da personalizaço de wafer SiC:Orientaço cristalina; Dimetro e espessura; Tipo e concentraço de dopagem; Poliço e acabamento da superfície; Resistividade; Camada epitaxial; Planilhas e entalhes de orientaço;Cloreto de sódio (SiC-on-Si) e outras combinações de substratos.

Embalagem e transporte:

Perguntas frequentes:

1.P: O que é 4H e 6H SiC?
R: 4H-SiC e 6H-SiC representam estruturas cristalinas hexagonais, com "H" indicando simetria hexagonal e os números 4 e 6 as camadas em suas células unitárias.Esta variaço estrutural afeta a estrutura de banda eletrônica do material, que é um determinante chave do desempenho de um dispositivo semicondutor.

2.P: O que é um substrato tipo P?
O material do tipo p é um semicondutor que tem um portador de carga positiva, conhecido como buraco.que tem um elétron de valência a menos do que os átomos dos semicondutores.

Recomendaço do produto:

1.SiC Wafer de Carbono de Silício Tipo 4H-N Para Dispositivo MOS 2 polegadas Dimetro 50,6 mm

2.SiC Substrato de Carbono de Silício Substrato 3C-N 5×5 10×10 mm