2 polegadas 4 polegadas baseado em GaN LED azul verde cultivado em plano ou PPS safira MOCVD DSP SSP

2 polegadas 4 polegadas GaN-on Sapphire Blue/Green LED Wafer Flat ou PPS Sapphire MOCVD DSP SSP

Descriço do GaN-on-Sapphire Blue/Green LED Wafer:

Os Wafers GaN on Sapphire (GaN/Sapphire) referem-se a um material de substrato composto por um substrato de safira com uma camada de nitreto de gálio (GaN) cultivada em cima.O GaN é um material semicondutor utilizado na fabricaço de dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência, tais como diodos emissores de luz (LED), diodos laser e transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT).tornando-o um substrato adequado para o crescimento de GaNOs Wafers GaN on Sapphire so amplamente utilizados no fabrico de dispositivos optoeletrônicos, dispositivos de microondas e de ondas milimétricas e dispositivos eletrônicos de alta potência.

Estrutura da bolacha LED azul/verde com GaN em safira:

Estrutura e composiço:

Nitreto de gálio (GaN) Camada epitaxial:

Película fina de cristal único: a camada GaN é uma película fina de cristal único, garantindo alta pureza e excelente qualidade cristalina.O valor do valor do produto deve ser calculado em conformidade com o modelo de referência..
Características do material: O GaN é conhecido por sua ampla faixa de frequência (3,4 eV), alta mobilidade eletrônica e alta condutividade térmica.Estas propriedades tornam-no altamente adequado para aplicações de alta potência e alta frequência, bem como dispositivos que operam em ambientes adversos.

Substrato de safira:

Resistência mecnica: o zafiro (Al2O3) é um material robusto com resistência mecnica excepcional, proporcionando uma base estável e durável para a camada de GaN.
Estabilidade térmica: o safiro apresenta um excelente desempenho térmico, incluindo uma elevada condutividade térmica e estabilidade térmica,Ajudando a dissipar o calor gerado durante o funcionamento do dispositivo e a manter a integridade do dispositivo a altas temperaturas.
Transparência óptica: A transparência do safiro na faixa ultravioleta a infravermelha o torna adequado para aplicações optoeletrônicas,com um dimetro superior a 30 mm,.

Tipos de modelos de GaN no Sapphire:

Nitreto de gálio de tipo n
Tipo p
Tipo de semi-isolaço

Forma de Wafer LED azul/verde com GaN em safira:

Imagem de aplicaço da bolacha LED azul/verde com GaN em safira:

Personalizaço:

Os micro-LEDs so considerados uma tecnologia chave para a plataforma metaverso para permitir exibições de próxima geraço para realidade aumentada (AR), realidade virtual (VR), telefones celulares e relógios inteligentes.
Podemos oferecer GaN baseado em vermelho, verde, azul, ou UV LED Epitaxial Wafers, bem como outros. O substrato pode ser safira, SiC, Silício e Bulk GaN Substrate. o tamanho está disponível de 2 polegadas a 4 polegadas

Embalagem e transporte:

Perguntas frequentes:

1P: Por que o GaN está no safiro?
R: O uso de substratos de safira permite tampões de GaN mais finos e estruturas de epitaxia mais simples, devido ao crescimento de maior qualidade, em relaço ao material cultivado no silício.O substrato de safira também é mais elétrico do que o silício, o que deverá permitir a capacidade de bloqueio de kilovolts.

2.P: Quais so as vantagens do GaN LED?
R: Economizaço substancial dos custos energéticos. Os sistemas de iluminaço tradicionais, como as lmpadas incandescentes ou fluorescentes, so muitas vezes energéticos e podem contribuir para um aumento dos gastos energéticos.A iluminaço LED baseada em GaN é altamente eficiente e consome muito menos energia, proporcionando uma iluminaço superior.

Recomendaço do produto:

1. 8 polegadas GaN-on-Si Epitaxy Si Substrate RF

2Wafer de Nitreto de Gállio.