Wafer SOI Wafer de silício em isolador Wafer de 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 100 111 P Tipo N Tipo

Wafer SOI Wafer de silício no isolante Wafer 4 polegadas 5 polegadas 6 polegadas 8 polegadas (100) (111) P Tipo N Tipo

Descriço do SOI Wafer:

Wafer SOI refere-se a uma fina camada de cristal único de silício revestida sobre um isolante feito de dióxido de silício ou vidro (daí o nome "silício no revestimento de isolamento",frequentemente referido como SOI em abreviaço)Os transistores construídos numa fina camada de SOI podem operar mais rapidamente e consumir menos energia do que os construídos num simples chip de silício.A tecnologia do silício sobre o isolante (SOI) é a fabricaço de dispositivos de semicondutores de silício num substrato de silício em camadas, para reduzir a capacitncia parasitária dentro do dispositivo, melhorando assim o desempenho.Os dispositivos baseados em SOI diferem dos dispositivos convencionais construídos em silício, pois a junço de silício está acima de um isolador elétrico, tipicamente dióxido de silício ou safira (estes tipos de dispositivos so chamados de silício sobre safira, ou SOS).com safiros utilizados para aplicações de radiofrequência de alto desempenho (RF) e sensíveis radiaçoA camada isolante e a camada de silício superior também variam muito dependendo da aplicaço.

Características do SOI Wafer:

• Capacidade parasitária mais baixa devido ao isolamento do silício a granel, o que melhora o consumo de energia em desempenho combinado
• Resistência ao bloqueio devido ao isolamento completo das estruturas de poços n e p
• Maior desempenho em VDDs equivalentes. Pode trabalhar em VDDs baixos [1]
• Reduço da dependência da temperatura devido ausência de doping
• Melhor rendimento devido alta densidade, melhor utilizaço da wafer
• Reduço dos problemas de antena
• No so necessárias torneiras de corpo ou poço.
• Correntes de vazamento mais baixas devido ao isolamento, o que aumenta a eficiência energética
• Inerentemente resistente radiaço (resistente a erros macios), reduzindo a necessidade de redundncia

Estrutura do produto da wafer SOI:

Estrutura da bolacha SOI:

Aplicações da wafer SOI:

As nossas soluções SoL personalizadas so utilizadas nos seguintes domínios:

• Sensores de presso avançados
• Acelerômetros
• Máquinas e aparelhos de visualizaço
• Sensores de microfluídica/fluxo
• MEMS de RF
• MEMS/MEMS ópticos
• Optoeletrónica
• Contadores inteligentes
• IC analógicas avançadas
• Outros aparelhos de som
• Relógios de pulso de luxo

Mercados finais:

• Serviços de telecomunicações
• Médico
• Automóveis
• Consumidor
• Instrumentaço

Imagem de aplicaço do SOI Wafer:

Embalagem e transporte:

Perguntas frequentes:

1.P: Qual é a constante dielétrica do silício em isoladores?
R: A constante dielétrica para os materiais de silício comumente utilizados é: dióxido de silício (SiO2) - constante dielétrica = 3.9Nitreto de silício (SiNx) - constante dielétrica = 7.5. Silício puro (Si) - constante dielétrica = 11.7

2.P: Quais so as vantagens das wafers SOI?
R: As placas SOI têm maior resistência radiaço, tornando-as menos propensas a erros macios.Outras vantagens dos wafers SOI incluem uma menor dependência da temperatura e menos problemas de antena.

Recomendaço do produto:

1. GaN-on-Si ((111) N/P T tipo Substrato Epitaxy 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Para LED ou dispositivo de energia

2Wafer composto de SiC-on-Si do tipo N