Baixa constante dielétrica borato fotoelétrico alto do bário do coeficiente do beta para QPM

Lugar de origem:Jinan, China
Quantidade de ordem mínima:1-5
Termos do pagamento:Rede 30 dias
Capacidade da fonte:Stock
Tempo de entrega:5-30days em cima da quantidade da ordem
Detalhes de empacotamento:empacotamento de vácuo, caixa plástica, caixa
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Jinan Shandong China
Endereço: Sala 2003d, construção de Shuntai, distrito Jinan de Gaoxin, Shandong, China
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
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Descriço de produtos:

O cristal LiNbO3 é um material fotoelétrico do baixo custo com boas propriedades mecnicas e físicas assim como boas propriedades do E-O. Foi amplamente utilizado como o dobro da frequência, osciladores paramétricos óticos, dispositivos quase-fase-combinados de (QPM) e as carcaças do medidor de ondas assim como o material o mais comum para Q-interruptores e moduladores da fase, pilhas de LiNbO3 Pockels so apropriados para aplicações em Er: YAG, Ho: YAG, TM: Sistema do laser de YAG.

Comparado com o LiNbO3, MgO: O cristal LiNbO3 revelou um ponto inicial de dano mais alto, e nós oferecemos o nióbito do lítio e o MgO: As pilhas de cristal de LiNbO3 Pockels com AR revestiram (comprimento de onda até 3000nm) para o Q-interruptor e a modulaço.

 

Vantagens:

  • Grande coeficiente ótico no-linear eficaz
  • Grande ngulo de aceitaço, ngulo menor da caminhada-fora
  • Temperatura larga e largura de banda espectral
  • Coeficiente fotoelétrico mais alto e baixa constante dielétrica
  • Grande valor da resistência
  • Nenhumas água absorvente, propriedades químicas estáveis e propriedades mecnicas

 

Aplicaço:

  • Q-interruptor para os lasers altos 1KHz-1MHz da taxa da repetiço
  • Colheita do pulso de lasers altos da taxa da repetiço

pecification

Nivelamentoλ/8 em 633nm
Paralelismoarcsec ≤20
Qualidade de superfície20-10 risco & escavaço (MIL-PRF-13830B)
Perpendicularityarcmin ≤5
Tolerncia de ngulo≤± 0.25°
Tolerncia da dimenso±0.1mm
Tolerncia da abertura±0.1mm
Abertura clara90% da abertura completa
Chanfradura≤0.2 mmx45°
Microplaqueta≤0.1mm
Período de garantia da qualidadeUm ano sob o uso apropriado
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Baixa constante dielétrica borato fotoelétrico alto do bário do coeficiente do beta para QPM

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