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barra do diodo láser de 40 watts, barra desmontado do diodo láser de 808 nanômetro
Os lasers do semicondutor so a peça central da maioria de sistemas industriais de hoje do laser. Se o processamento material direto ou o bombeamento ótico dos lasers em estado sólido, os lasers da fibra ou os lasers do disco, os únicos emissores desmontados e barras so o componente-chave para a converso inicial da energia elétrica na luz.
HTOE tem-se centrado sobre a tecnologia da bolacha de semicondutor desde 1998, entrega o poder superior multimodo em comprimentos de onda entre 635 e 1064nm.
Parmetros (25℃)
Parmetro | Unidade | LDAC1-0808-0040 | |
Parmetro ótico | Modo de operaço | - | CW |
P potência de saídao | W | 40 | |
Λ Centercdo comprimento de onda | nanômetro | 808 ± 5 | |
Geométrico | Encha o fator | - | 30% |
Número de únicos emissores desmontados | - | 19 | |
Parmetro bonde | Eficiência Esda inclinaço | W/A | ≥1.1 |
Corrente do ponto inicial mimth | A | ≤7 | |
Corrente de funcionamento mimf | A | ≤40 | |
Tenso de funcionamento Vf | V | ≤2 |
Observaço
1. Observaço do artigo: LDAC1 (modelo) - **** do artigo (comprimento de onda center) - **** (potência de saída).
2. A folha de dados é baseada no resultado dos testes sob 25℃.
3. A folha de dados é baseada nos testes do pacote do CS.
4. Para mais informaço, contacte por favor a ótica electrónica Co. da Olá!-tecnologia, Ltd.