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barra do diodo láser de um poder superior de 100 watts, 808 barra desmontado do diodo láser do nanômetro QCW
Os lasers do semicondutor so a peça central da maioria de sistemas industriais de hoje do laser. Se o processamento material direto ou o bombeamento ótico dos lasers em estado sólido, os lasers da fibra ou os lasers do disco, os únicos emissores desmontados e barras so o componente-chave para a converso inicial da energia elétrica na luz.
HTOE tem-se centrado sobre a tecnologia da bolacha de semicondutor desde 1998, entrega o poder superior multimodo em comprimentos de onda entre 635 e 1064nm.
Parmetros (25℃)
Parmetro | Unidade | LDAQ1-0808-0100 | |
Parmetro ótico | Modo de operaço | - | QCW |
P potência de saídao | W | 100 | |
Λ Centercdo comprimento de onda | nanômetro | 808 ± 5 | |
Geométrico | Encha o fator | - | 87% |
Número de únicos emissores desmontados | - | 100 | |
Parmetro bonde | Eficiência Esda inclinaço | W/A | ≥1.2 |
Corrente do ponto inicial mimth | A | ≤20 | |
Corrente de funcionamento mimf | A | ≤100 | |
Tenso de funcionamento Vf | V | ≤3 |
Observaço
1. Observaço do artigo: LDAQ1 (modelo) - **** do artigo (comprimento de onda center) - **** (potência de saída).
2. A folha de dados é baseada no resultado dos testes sob 25℃, largura de pulso 200μs, frequência 1-100Hz, o ciclo de dever máximo 2%, e a aplicaço típica 0,4%.
3. A folha de dados é baseada nos testes do pacote do CS.
4. Para mais informaço, contacte por favor a ótica electrónica Co. da Olá!-tecnologia, Ltd.