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Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor so um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexo a um circuito externo.
Avaliações máximas absolutas
Parmetro | Máximo. | Unidades | |
Identificaço @ Tq = 25°C | Corrente contínua do dreno, Vgs @ 10V | 49 | |
lD @ Tc = 100°C | Corrente contínua do dreno, Vgs @ 10V | 35 | |
Idm | Corrente pulsada do dreno① | 160 | |
@Ta do PALÁDIO = 25°C | Dissipaço de poder | 3,8 | W |
Paládio @TC = 25°C | Dissipaço de poder | 94 | W |
Fator Derating linear | 0,63 | W/°C | |
Vgs | Tenso da Porta--fonte | ±20 | V |
Iar | Corrente da avalancha① | 25 | |
Orelha | Avalancha repetitiva Energy® | 9,4 | mJ |
dv/dt | Recuperaço máxima dv/dt do diodo③ | 5,0 | V/ns |
Tj | Junço de funcionamento e | -55 + a 175 | °C |
Material
A maioria de transistor so feitos do silicone muito puro, e de algum do germnio, mas determinados outros materiais do semicondutor so usados s vezes. Um transistor pode ter somente um tipo do portador de carga, em um transistor do efeito de campo, ou pode ter dois tipos dos portador de carga em dispositivos do transistor de junço bipolar.
Transistor do Ponto-contato
Em 1948, o transistor do ponto-contato foi inventado independentemente por físicos alemes Herbert Mataré e Heinrich Welker ao trabalhar no DES Freins e Signaux Westinghouse de Compagnie, uma subsidiária de Westinghouse situada em Paris. Mataré teve a experiência precedente em retificadores de cristal tornando-se do silicone e do germnio no esforço alemo do radar durante a segunda guerra mundial. Usando este conhecimento, começou a pesquisar o fenômeno da “interferência” em 1947.