Mosfet Nano Irfz44ns da versão do Através-furo de Hauni Protos para máquinas de Kretek

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Mosfet Nano Irfz44ns da verso do Através-furo de Hauni Protos para máquinas de Kretek


Transistor do silicone


O primeiro transistor de trabalho do silicone foi desenvolvido em Bell Labs o 26 de janeiro de 1954, por Morris Tanenbaum. O primeiro transistor comercial do silicone foi produzido por Texas Instruments em 1954. Este era o trabalho de Gordon Teal, um perito nos cristais crescentes da pureza alta, que tinham trabalhado previamente em Bell Labs.


Transistor de alta frequência


O primeiro transistor de alta frequência era o transistor do germnio da superfície-barreira desenvolvido por Philco em 1953, capaz de operar até 60 megahertz. Estes foram feitos gravando depressões em um n-tipo base do germnio de ambos os lados com os jatos do índio (III) sulfatam até que esteve alguns ten-thousandths de uma polegada densamente. O índio galvanizou nas depressões formou o coletor e o emissor.


Transistor do Ponto-contato


Em 1948, o transistor do ponto-contato foi inventado independentemente por físicos alemes Herbert Mataré e Heinrich Welker ao trabalhar no DES Freins e Signaux Westinghouse de Compagnie, uma subsidiária de Westinghouse situada em Paris. Mataré teve a experiência precedente em retificadores de cristal tornando-se do silicone e do germnio no esforço alemo do radar durante a segunda guerra mundial. Usando este conhecimento, começou a pesquisar o fenômeno da “interferência” em 1947.


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