As unidades de embalagem de Kretek comutam peças sobresselentes da máquina do cigarro do transistor de Irfz44nl passim
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Lugar de origem:China
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As unidades de embalagem de Kretek comutam peças sobresselentes da
máquina do cigarro do transistor de Irfz44nl passim
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para
amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os
transistor so um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica
moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo
menos três terminais para a conexo a um circuito externo.
Transistor do silicone
O primeiro transistor de trabalho do silicone foi desenvolvido em Bell Labs o 26 de janeiro de 1954, por Morris Tanenbaum. O primeiro transistor comercial do silicone foi produzido por Texas Instruments em 1954. Este era o trabalho de Gordon Teal, um perito nos cristais crescentes da pureza alta, que tinham trabalhado previamente em Bell Labs.
Vantagens
Custo, a flexibilidade, e a confiança do transistor o baixo fizeram-lhe um dispositivo ubíquo. Os circuitos mechatronic transistorizados substituíram dispositivos eletromecnicos em dispositivos e na maquinaria de controlo. É frequentemente mais fácil e mais barato usar um microcontrolador padro e escrever um programa informático para realizar uma funço de controle do que para projetar um sistema mecnico equivalente a
IRFZ44NS/LPbF
| Parmetro | Mínimo. | |
| V (BR) DSS | Tenso de diviso da Dreno--fonte | 55 |
| △仏 Tj de V (BR) DSS | Temp da tenso de diviso. Coeficiente | — |
| RDS (sobre) | Em-resistência estática da Dreno--fonte | — |
| VGS (th) | Tenso do ponto inicial da porta | 2,0 |
| gts | Transcondutncia dianteira | 19 |
| bss | Corrente do escapamento da Dreno--fonte | — |
| — | ||
| perda | Escapamento dianteiro da Porta--fonte | — |
| Escapamento reverso da Porta--fonte | — | |
| Qg | Carga total da porta | — |
| Qgs | Carga da Porta--fonte | — |
| Qgd | Carga do Porta--dreno (“Miller”) | — |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligaço | — |
| tr | Tempo de elevaço | — |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | — |
| tf | Tempo de queda | — |
| Ls | Indutncia interna da fonte | — |
| Cjss | Capacidade entrada | — |
| Coss | Capacidade de saída | — |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | — |
| Eas | Única avalancha Energy® do pulso | — |
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