Transistor D2PAK do silicone de Hauni Max Super Slim Advanced Process
Number modelo:Fabricante
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:2 PCes
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Capacidade da fonte:10000 PCes/mês
Prazo de entrega:5-8 dias
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RM 18S, 27/F, HO REI COMM CTR, ST de 2-16 FAYUEN, MONGKOK KOWLOON, HONG KONG
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Transistor D2PAK do silicone de Hauni Max Super Slim Advanced Process
Um transistor é um dispositivo de semicondutor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e a corrente elétrica. Os transistor so um dos blocos de apartamentos básicos de eletrônica moderna. É composta do material do semicondutor geralmente com pelo menos três terminais para a conexo a um circuito externo.
Autorrádio do Todo-transistor
O primeiro autorrádio do todo-transistor da “produço” foi desenvolvido por Chrysler e os corporaçõs e de Philco anunciou-se na ediço do 28 de abril de 1955 de Wall Street Journal. Chrysler tinha feito o autorrádio do todo-transistor, Mopar 914HR, disponível modelo como uma opço que começa na queda 1955 para sua nova linha de Chrysler 1956 e de carros imperiais que bateu primeiramente os assoalhos da sala de exposições do negócio o 21 de outubro de 1955.
Transistor do Ponto-contato
Em 1948, o transistor do ponto-contato foi inventado independentemente por físicos alemes Herbert Mataré e Heinrich Welker ao trabalhar no DES Freins e Signaux Westinghouse de Compagnie, uma subsidiária de Westinghouse situada em Paris. Mataré teve a experiência precedente em retificadores de cristal tornando-se do silicone e do germnio no esforço alemo do radar durante a segunda guerra mundial. Usando este conhecimento, começou a pesquisar o fenômeno da “interferência” em 1947.
IRFZ44NS/LPbF
| Parmetro | Mínimo. | |
| V (BR) DSS | Tenso de diviso da Dreno--fonte | 55 |
| △仏 Tj de V (BR) DSS | Temp da tenso de diviso. Coeficiente | — |
| RDS (sobre) | Em-resistência estática da Dreno--fonte | — |
| VGS (th) | Tenso do ponto inicial da porta | 2,0 |
| gts | Transcondutncia dianteira | 19 |
| bss | Corrente do escapamento da Dreno--fonte | — |
| — | ||
| perda | Escapamento dianteiro da Porta--fonte | — |
| Escapamento reverso da Porta--fonte | — | |
| Qg | Carga total da porta | — |
| Qgs | Carga da Porta--fonte | — |
| Qgd | Carga do Porta--dreno (“Miller”) | — |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligaço | — |
| tr | Tempo de elevaço | — |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-Fora | — |
| tf | Tempo de queda | — |
| Ls | Indutncia interna da fonte | — |
| Cjss | Capacidade entrada | — |
| Coss | Capacidade de saída | — |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | — |
| Eas | Única avalancha Energy® do pulso | — |
Transistor D2PAK do silicone de Hauni Max Super Slim Advanced Process
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