IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA

Número do modelo:IXTY08N100D2
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Quantidade mínima de encomenda:1
Condições de pagamento:TT
Capacidade de abastecimento:100
Tempo de entrega:3-4 dias
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Shenzhen Chongqing China
Endereço: O 1° andar, C de construção, parque de ciências de ZhouKe, nenhuns 190 da estrada de Chongqing, a comunidade de Heping, rua de Fuhai, distrito de BaoAn, Shenzhen, China
Fornecedor do último login vezes: No 36 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

CSR8670C-IBBH-R IC Chip RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA
 
IXTY08N100D2 so deInventário de fábrica, por favor verifique suas demandas e por favor entre em contato conosco com o preço alvo.
 
Especificações de IXTY08N100D2
 

TipoDescriço
CategoriaProdutos de semicondutores discretos
 Transistores
 FET, MOSFET
 FETs únicos, MOSFETs
MfrIXYS
SérieEsgotamento
PacoteTubos
Estatuto do produtoAtividade
Tipo de FETN-canal
TecnologiaMOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)1000 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C800 mA (Tc)
Tenso de accionamento (max Rds On, min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id-
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs14.6 nC @ 5 V
Vgs (máximo)± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 25 V
Característica FETModo de esgotamento
Dissipaço de energia (máximo)60 W (Tc)
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemMontagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedorTO-252AA
Embalagem / CaixaTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto de baseIXTY08

 
Características doIXTY08N100D2
 
• Normalmente no modo Ativado
Pacotes Padro Internacional
• Epoxies de moldagem cumprem o critério UL94V-0Classificaço da inflamabilidade
 
Aplicações deIXTY08N100D2
 
• Amplificadores de som
• Circuitos de arranque
• Circuitos de protecço
• Geradores de rampa
• Reguladores actuais
• Cargas activas
 
Benefícios adicionaisIXTY08N100D2
 
• Fácil de montar
• Economia de espaço
• Alta densidade de energia
 
Classificações ambientais e de exportaço deIXTY08N100D2
 

AtributoDescriço
Estatuto da RoHSConformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade humidade (MSL)1 (Ilimitado)
Estatuto REACHREACH No afectado
NomenclaturaEAR99
HTSUS8541.29.0095

 

 

China IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA supplier

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA

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