Módulo da memória do servidor PC3 12800, Ram da CCE de 4gb Ddr3 1600 SODIMM 204 03X6656 0B47380

Número de modelo:03X6656
Quantidade de ordem mínima:1
Termos do pagamento:L/C, D/A, D/P, T/T
Tempo de entrega:3-4 dias de trabalho
marca:Lenovo
modelo:03X6656
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Endereço: ST MONGKOK Hong Kong de YUEN do FÁ do REI 23/F HO COMM CTR 2-16 de FLAT/RM 2309, 999077 HKG
Fornecedor do último login vezes: No 28 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto
memória 03X6656 0B47380 de 4GB PC3 12800 DDR3 1600 SODIMM 204 RAM
 
Vista geral
Detalhes rápidos

Estado dos produtos:

Estoque

Aplicaço:

Servidor, memória de Ram do servidor

Capacidade de memória:

32G, 32GB

Tipo:

DDR4, DDR4

Funço:

CCE, CCE

Frequência:

2400MHZ

Marca:

PARA O IBM, para o IBM

Número de modelo:

46W0833, 46W0833

Lugar de origem:

 CHINA

Estado dos produtos:

Estoque

Frequência principal:

2400MHZ

Garantia:

90 DIAS 

Específicos do artigo

Circunstncia:
9 A NOVO
Tipo:

IBM/LENOVO

Capacidade total:4 GBVelocidade do ônibus:CCE PC3-10600 (DDR3-1333)
Número de módulos:1Modelo:

0B47380

Capacidade pelo módulo:4 GBFatora de formulários:SO-DIMM
Tipo:DDR3 SDRAMMPN:

03X6656

Manuf. P/N:M471B5173QH0-YK0Número de pinos:204

 

 

O IBM/LENOVO DATILOGRAFA A COMPATIBILIDADE:

  • 6277, 6885, 6886, 6887, 20A3, 20A9, 20AA, 20AC, 20AG, 20AH, 20AJ, 20AK, 20AL, 20AM,
  • 20AN, 20AQ, 20AR, 20AS, 20AT, 20AU, 20AV, 20AW, 20AX, 20AY, 20B0, 20B1, 20B2, 20B3,
  • 20B6, 20B7, 20BA, 20BB, 20BC, 20BE, 20BF, 20BG, 20BH, 20BL, 20BM, 20BU, 20BV, 20BW,
  • 20BX, 20C5, 20C6, 20CJ, 20CK, 20CL, 20CM, 20D9, 20DA, 20DC, 20DD, 20DE, 20DF, 20DG,
  • 20DH, 20DM, 20DN, 20DQ, 20DR, 20DS, 20DT, 20ED, 20EE, 20EF, 20EG., 20EH, 20EL, 20EM,
  • 20ET, 20EU, 20EV, 20EW, 20EX, 20EY, 20F1, 20F2, 20FH, 20FJ, 20FK, 20FL, 20FM, 20FN,
  • 20FU, 20FV, 20G1, 20G8, 20G9, 20GA, 20GB, 20HS, 20HT, 20HU, 20HV, 81A2, 81A3
Especificações gerais:
  •  
  • IBM/USC P/N DE LENOVO: 03X6656
  • IBM/LENOVO P/N: 0B47380
  • Manuf. P/N: M471B5173QH0-YK0
  • Fatora de formulários SO-DIMM: pino 204
  • Tecnologia: DDR3L SDRAM
  • Capacidade de armazenamento 4 GB
  • Conformidade: PC3L-12800
  • Velocidade da memória: 1600 megahertz
  • Verificaço da integridade de dados: No-CCE
  • Fabricante: Samsung
  • Sincronismos da latência: CL11 (11-11-11)
  • Altura do módulo: (polegada) 1,18
  • Organizaço das microplaquetas: 512 x 8
  • Tipo de RAM: GOLE
  • Tenso de fonte: 1,35/1,5 V
  • Latência de CAS: CL11
  • Sincronismos da latência: 11-11-11
  • Características de RAM: A baixa tenso, terminaço (ODT) do Em-dado, oito bancos, escolhe o grau
  • Quantidade empacotada 1

 

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