

Add to Cart
Módulo de poder 2-PACK de 2MBI100N-060 IGBT IGBT 600V 100A
MÓDULO de IGBT (série de N)
Descriço | 1. IGBT é uma integraço funcional de dispositivos do MOSFET e do BJT do poder no formulário monolítico |
2. IGBT combina os melhores atributos de ambos para conseguir características ótimas do dispositivo. Cada módulo consiste em dois IGBTs em uma configuraço da metade-ponte com cada transistor que tem um diodo super-rápido reverso-conectado da livre-roda da recuperaço. | |
3. Todo o componentsand interconecta é isolado da placa de base de naufrágio do calor, oferecendo o conjunto de sistema simplificado. | |
Característica | 1). Quadrado RBSOA |
2). Baixa tenso de saturaço | |
3). Funço de limitaço da sobrecarga (~3 vezes avaliaram a corrente) | |
4). IGBT é dispositivo de semicondutor do poder do três-terminal | |
5). Operaço de alta frequência | |
Aplicaço | 1). A C.A. conduz o inversor |
2). Servocontrol | |
3). UPS, fonte de alimentaço ininterrupta | |
4). Fontes de alimentaço da soldadura |
avaliações máximas e características de n
• Avaliações máximas absolutas (Tc=25°C)
Unidades das avaliações dos símbolos dos artigos
Tenso VCES 600V do Coletor-emissor
Porta - ± 20V da tenso VGES do emissor
IC contínuo 100
Coletor 1ms
PULSO 200 DE IC
Contínuo atual - IC 100 1ms
- PULSO 200 DE IC
PC máximo 400W da dissipaço de poder
°C de Tj +150 da temperatura de funcionamento
Temperatura de armazenamento Tstg -40∼ +125°C
Isolamento VoltageA.C. 1min.Vis 2500V
Montagem *13.5
Terminais *13.5
Nota: *1: Valor recomendável; 2.5∼ 3,5 nanômetro (M
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Telefone: 86-0755-82539981