Chassi do módulo de poder de BSM50GP120 IGBT/tipo de canal montagem 1200V 50A N do parafuso
Número de modelo:BSM50GP120
Lugar de origem:Alemanha
Quantidade de ordem mínima:1 pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:100UD
Tempo de entrega:Stock
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Shenzhen Guangdong China
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FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN que CONSTRÓI A ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG de No.1 SHENHUA, CHINA
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Os chassis do módulo de BSM50GP120 IGBT montam o MÓDULO 1200V 50A do módulo IGBT
Nom 360W 24-Pin EconoPIM3 122x62mm do módulo N-CH 1.2kV 50A do transporte IGBT
| Valor | |
| Tipo de canal | N |
| Configuraço | Encantar |
| Tenso máxima do emissor do coletor | 1200 V |
| Corrente de coletor contínua máxima | 80 A |
| Tenso máxima do emissor da porta | ±20 V |
| Montagem | Montagem do parafuso |
| Contagem de Pin | 24 |
| Dimensões do produto | 122 x 62 x 17 milímetros |
| Pacote do fornecedor | EconoPIM3 |
| Descriço | 1. IGBT é uma integraço funcional de dispositivos do MOSFET e do BJT do poder no formulário monolítico |
| 2. IGBT combina os melhores atributos de ambos para conseguir características ótimas do dispositivo. Cada módulo consiste em dois IGBTs em uma configuraço da metade-ponte com cada transistor que tem um diodo super-rápido reverso-conectado da livre-roda da recuperaço. | |
| 3. Todo o componentsand interconecta é isolado da placa de base de naufrágio do calor, oferecendo o conjunto de sistema simplificado. | |
| Característica | 1). Quadrado RBSOA |
| 2). Baixa tenso de saturaço | |
| 3). Funço de limitaço da sobrecarga (~3 vezes avaliaram a corrente) | |
| 4). IGBT é dispositivo de semicondutor do poder do três-terminal | |
| 5). Operaço de alta frequência | |
| Aplicaço | 1). A C.A. conduz o inversor |
| 2). Servocontrol | |
| 3). UPS, fonte de alimentaço ininterrupta | |
4). Fontes de alimentaço da soldadura
|
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
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Chassi do módulo de poder de BSM50GP120 IGBT/tipo de canal montagem 1200V 50A N do parafuso
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