O diodo de retificador de uso geral 55V de IRFP064N 110A 200W jejua velocidade de interruptor
Número de modelo:IRFP064N
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10 pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:50000pcs
Tempo de entrega:Stock
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG da CONSTRUÇÃO No.1 SHENHUA da FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN, CHINA
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Detalhes do produto
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Detalhes do produto
N-canal de uso geral 55V 110A do diodo de retificador de IRFP064N (Tc) 200W (Tc) através do furo
Tecnologia de processamento avançada?
Em-resistência ultra baixa?
Avaliaço dinmica de dv/dt?
temperatura de funcionamento 175°C?
Interruptor rápido?
Inteiramente avalancha avaliada
Descriço
Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador
internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para
conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do
silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço
rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do
poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um
dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma
grande variedade de aplicações.
O pacote TO-247 é preferido universalmente para todas as aplicações
comercial-industriais a níveis da dissipaço de poder a
aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo
custo do pacote do TO-247 contribuem a sua aceitaço larga durante
todo a indústria.
| Atributos de produto | Selecione toda |
| Categorias | Produtos de semicondutor discretos |
| Transistor - FETs, MOSFETs - únicos | |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Série | HEXFET® |
| Empacotamento | Tubo |
| Estado da parte | Ativo |
| Tipo do FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 55V |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 8 mOhm @ 59A, 10V |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| Característica do FET | - |
| Dissipaço de poder (máxima) | 200W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247AC |
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Telefone: 86-0755-82539981
O diodo de retificador de uso geral 55V de IRFP064N 110A 200W jejua velocidade de interruptor
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