Transistor obsoletos 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP através da montagem do furo

Número de modelo:BC213L-C
Lugar de origem:Malásia
Quantidade de ordem mínima:10 pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:10000PCS
Tempo de entrega:Stock
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG da CONSTRUÇÃO No.1 SHENHUA da FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN, CHINA
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Transistor bipolar PNP 30V 500mA 200MHz 625mW dos transistor de BC213L-C NPN PNP através do furo

 

 

Amplificador do uso geral de PNP

 

• Este dispositivo deisgned para o uso como amplificadores de uso geral e os interruptores que exigem correntes de coletor a 300mA.

• Originário do processo 68.

• Veja PN200 para características.
 

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CategoriasProdutos de semicondutor discretos
 Os transistor - bipolares (BJT) - escolhem
FabricanteNo semicondutor
Série-
EmpacotamentoVolume
Estado da parteObsoleto
Tipo do transistorPNP
Atual - coletor (CI) (máximo)500mA
Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima)30V
Saturaço de Vce (máxima) @ Ib, CI600mV @ 5mA, 100mA
Atual - interrupço do coletor (máxima)15nA (ICBO)
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce80 @ 2mA, 5V
Poder - máximo625mW
Frequência - transiço200MHz
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo da montagemAtravés do furo
Pacote/casoTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacote do dispositivo do fornecedorTO-92-3

 

 

 

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Transistor obsoletos 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP através da montagem do furo

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