Transistor de poder de BFS505 15V RF, transistor da montagem da superfície de 18mA 9GHz 150mW
Número de modelo:BFS505
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3000 PCes
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:60000PCS
Tempo de entrega:Stock
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG da CONSTRUÇÃO No.1 SHENHUA da FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN, CHINA
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Detalhes do produto
Montagem da superfície do transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW do RF dos transistor de BFS505 NPN PNP
NPN transistor do wideband de 9 gigahertz
CARACTERÍSTICAS
• Baixo consumo atual
• Ganho do poder superior
• Figura de baixo nível de ruído
• Frequência alta da transiço
• A metalizaço do ouro assegura
confiança excelente
• Envelope SOT323.
DESCRIÇO
Transistor de NPN em um plástico SOT323
envelope.
Pretende-se para amplificadores de baixa potência,
osciladores e misturadores particularmente dentro
Uma comunicaço do portable do RF
equipamento (celulares, sem corda
telefones, biperes) até 2 gigahertz.
| Atributos de produto | Selecione tudo |
| Categorias | Produtos de semicondutor discretos |
| Transistor - bipolares (BJT) - RF | |
| Fabricante | NXP EUA Inc. |
| Série | - |
| Empacotamento | Fita & carretel (TR) |
| Estado da parte | Obsoleto |
| Tipo do transistor | NPN |
| Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima) | 15V |
| Frequência - transiço | 9GHz |
| Figura de ruído (tipo do DB @ f) | 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| Ganho | - |
| Poder - máximo | 150mW |
| Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce | 60 @ 5mA, 6V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 18mA |
| Temperatura de funcionamento | 175°C (TJ) |
| Tipo da montagem | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | SC-70, SOT-323 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-323-3 |
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Telefone: 86-0755-82539981
Transistor de poder de BFS505 15V RF, transistor da montagem da superfície de 18mA 9GHz 150mW
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