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O MOSFET do N-canal dos transistor de CJ2310 S10 NPN PNP Plástico-encapsula MOSFETS
DESCRIÇO
O CJ2310 usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS
excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operaço com a tenso da
porta to baixo quanto 2.5V. Este dispositivo é apropriado para o
uso como uma proteço da bateria ou na outra aplicaço do
interruptor.
da CARACTERÍSTICA
Poder superior e entregando atual da capacidade
O produto sem chumbo é adquirido
Pacote de superfície da montagem
da APLICAÇO
do interruptor de bateria
Conversor de DC/DC
Avaliações máximas (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
Unidade do valor do símbolo do parmetro
Tenso VDS 60 V da Dreno-fonte
Tenso VGS ±20 V da Porta-fonte
Identificaço atual 3 A do dreno contínuo
Corrente pulsada do dreno (nota 1) I DM 10 A
Paládio 0,35 W da dissipaço de poder
Resistência térmica da junço (nota 2) ao θJA ambiental 357 ℃/W de R
℃ da temperatura de junço TJ 150
℃ da temperatura de armazenamento TSTG -55~+150
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
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E-mail: sales@deli-ic.com
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