O plástico de CJ2310 S10 encapsula Mosfet duplo da porta, Mosfet do canal do poder superior N

Número de modelo:CJ2310 S10
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:3000 PCes
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:30000PCS
Tempo de entrega:Stock
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço: ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG da CONSTRUÇÃO No.1 SHENHUA da FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN, CHINA
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Detalhes do produto

O MOSFET do N-canal dos transistor de CJ2310 S10 NPN PNP Plástico-encapsula MOSFETS

 

 

DESCRIÇO

 

O CJ2310 usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operaço com a tenso da porta to baixo quanto 2.5V. Este dispositivo é apropriado para o uso como uma proteço da bateria ou na outra aplicaço do interruptor.

 da CARACTERÍSTICA

 

Poder superior e  entregando atual da capacidade

O produto sem chumbo é  adquirido

Pacote de superfície da montagem

 

 da APLICAÇO

 

 do interruptor de bateria

Conversor de DC/DC

 

 

Avaliações máximas (Ta=25℃ salvo disposiço em contrário)
Unidade do valor do símbolo do parmetro
Tenso VDS 60 V da Dreno-fonte
Tenso VGS ±20 V da Porta-fonte
Identificaço atual 3 A do dreno contínuo
Corrente pulsada do dreno (nota 1) I DM 10 A
Paládio 0,35 W da dissipaço de poder
Resistência térmica da junço (nota 2) ao θJA ambiental 357 ℃/W de R
℃ da temperatura de junço TJ 150
℃ da temperatura de armazenamento TSTG -55~+150

 

 

 

 

 

 

 

 

Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
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Telefone: 86-0755-82539981

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