Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB
Número de modelo:D45H8
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10 pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:5000pcs
Tempo de entrega:Stock
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG da CONSTRUÇÃO No.1 SHENHUA da FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN, CHINA
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Transistor bipolar PNP 60V 10A 50W dos transistor de D45H8 NPN PNP (BJT) através do furo TO-220AB
Transistor de poder complementares
Características
Tenso de saturaço do coletor-emissor do ■ baixa
Velocidade de interruptor rápida do ■
Aplicações
Amplificador de potência do ■
Circuitos do interruptor do ■
Descriço
Os dispositivos so fabricados na multi tecnologia planar epitaxial da baixa tenso. So pretendidos para aplicações de uso geral lineares e do interruptor
| Atributos de produto | Selecione tudo |
| Categorias | Produtos de semicondutor discretos |
| Os transistor - bipolares (BJT) - escolhem | |
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Série | - |
| Empacotamento | Tubo |
| Estado da parte | Obsoleto |
| Tipo do transistor | PNP |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 10A |
| Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima) | 60V |
| Saturaço de Vce (máxima) @ Ib, CI | 1V @ 400mA, 8A |
| Atual - interrupço do coletor (máxima) | 10µA |
| Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Poder - máximo | 50W |
| Frequência - transiço | - |
| Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
| Tipo da montagem | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-220-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220AB |
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
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Transistor 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP através do furo ao elevado desempenho 220AB
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