Transistor bipolar 38W Tc de Npn do canal de FDPF10N60NZN através do furo a 220F

Número de modelo:FDPF10N60NZ
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10 pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:10000PCS
Tempo de entrega:Stock
Contate

Add to Cart

Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço: ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG da CONSTRUÇÃO No.1 SHENHUA da FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN, CHINA
Fornecedor do último login vezes: No 41 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

N-canal 600V 10A dos transistor de FDPF10N60NZ NPN PNP (Tc) 38W (Tc) através do furo TO-220F

 

MOSFET 600V do N-canal, 10A, 0,75
Características
 
•RDS (sobre) = 0,64  (tipo.) @ VGS = 10V, identificaço = 5A
• Baixa carga da porta (tipo. 23nC)
• Baixo Crss (tipo. 10pF)
• Interruptor rápido
• Avalancha 100% testada
• Capacidade melhorada de dv/dt
• Capacidade melhorada ESD
• RoHS complacente
 

 

Descriço
 
Estes efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal
os transistor so produzidos usando o proprietário de Fairchild, planar
listra, tecnologia de DMOS.
Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar
a resistência do em-estado, fornece o interruptor superior
desempenho, e pulso do de alta energia do withstand na avalancha
e modo da comutaço. Estes dispositivos so poço - serido para a elevaço
fontes de alimentaço comutadas eficientes do modo e fator de poder ativo
correço

 

UE RoHS
Complacente com isenço
ECCN (E.U.)EAR99
Categoria de produtoMOSFET do poder
ConfiguraçoÚnico
Tecnologia de processamentoUniFET II
Modo do canalRealce
Tipo de canalN
Número de elementos pela microplaqueta1
Tenso máxima da fonte do dreno (v)600
Tenso de fonte de porta máxima (v)±25
Tenso máxima do ponto inicial da porta (v)5
Corrente contínua máxima do dreno (a)10
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA)10000
Máximo IDSS (A)1
Resistência máxima da fonte do dreno (mOhm)750@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC)23@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC)23
Capacidade típica @ Vds da entrada (PF)1110@25V
Dissipaço de poder máxima (mW)38000
Tempo de queda típico (ns)50
Tempo de elevaço típico (ns)50
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)70
Tempo de atraso de ligaço típico (ns)25
Temperatura de funcionamento mínima (°C)-55
Temperatura de funcionamento máximo (°C)150
EmpacotamentoTubo
Pacote do fornecedorTO-220FP
Nome do pacote padroTO-220
Contagem de Pin3
MontagemAtravés do furo
Altura do pacote15,87
Comprimento do pacote10,16
Largura do pacote4,7
PWB mudado3
AbaAba
Forma da ligaçoAtravés do furo

 

 

 

 

 

Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Telefone: 86-0755-82539981

 

China Transistor bipolar 38W Tc de Npn do canal de FDPF10N60NZN através do furo a 220F supplier

Transistor bipolar 38W Tc de Npn do canal de FDPF10N60NZN através do furo a 220F

Inquiry Cart 0