Canal bipolar isolado módulo do silicone N do transistor da porta do tiristor GT20J101
Número de modelo:GT20J101
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10 pcs
Termos do pagamento:T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte:10000PCS
Tempo de entrega:Stock
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
ÁREA SHENZHEN da ESTRADA LIUYUE LONGGANG da RUA SHENFENG da CONSTRUÇÃO No.1 SHENHUA da FORTUNA do RM 311 3/F LINZHAN, CHINA
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Canal bipolar isolado TOSHIBA IGBT do silicone N do transistor da porta GT20J101
Aplicações do interruptor do poder superior
• A ó geraço • Realce-modo
• Alta velocidade: tf = 0,30 µs (máximos)
• Baixa tenso de saturaço: VCE (sentado) = 2,7 V (máximos)
| Característico | Símbolo | Avaliaço | Unidade |
| tenso do Coletor-emissor | VCES | 600 | V |
| tenso do Porta-emissor | VGES | +-20 | V |
| C.C. da corrente de coletor | IC | 20 | A |
| Senhora da corrente de coletor 1 | ICP | 40 | A |
| Dissipaço de poder do coletor (Tc = 25°C) | PC | 130 | W |
| Temperatura de junço | Tj | 150 | °C |
| Variaço da temperatura do armazenamento | Tstg | −55~150 | °C |
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Telefone: 86-755-82539981
Canal bipolar isolado módulo do silicone N do transistor da porta do tiristor GT20J101
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