IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta
Number modelo:IRGB10B60KDPBF
Lugar de origem:Alemanha
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Capacidade da fonte:10,000pcs
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IRGB10B60KDPBF # transistor bipolar isolado da porta com o diodo macio Ultrafast IGBT da recuperaço
600V 22A 156W TO220AB
Características
• Baixos VCE (sobre) perfuram no com a tecnologia de IGBT.
• Baixo diodo VF.
• 10µs procuram um caminho mais curto a capacidade.
• Quadrado RBSOA.
• Características reversas da recuperaço do diodo Ultrasoft.
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (sobre).
• Sem chumbo
Benefícios
• Eficiência da avaliaço de desempenho para o controlo do motor.
• Desempenho transiente áspero.
• Baixo IEM.
• Atual excelente compartilhando paralelamente da operaço.
| Número da peça | IRGB10B60KDPBF |
| Fabricante | Infineon |
| Transistor discretos dos produtos de semicondutor das categorias - IGBTs - único fabricante | Infineon |
| Empacotamento | Tubo |
| Original | Alemanha |
| Estado da parte | Ativo |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima) | 600V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 22A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 44A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge CI | 2.2V @ 15V 10A |
| Poder - máximo | 156W |
| Energia de comutaço | 140µJ (sobre) 250µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padro |
| Carga da porta | 38nC |
Tehcnology Co. da eletrônica do supermercado fino, Ltd.
E-mail: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contato: VIVI-CHEN
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