Mosfets TO-252AA do poder do canal de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm N

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Number modelo:RFD14N05LSM
Lugar de origem:EUA
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Montagem da superfície dos Mosfets TO-252AA do poder do N-canal do nível da lógica de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm


Introduço:

O RFD14N05LSM é uns 14 A, 50 V, 0,1 Ω, Mosfet do poder do nível da lógica do N-canal.

Vem em um pacote de TO-252AA e de variações da temperatura de Operting do °C -55 a 175 °C.

É fabricado usando o processo de MegaFET.

Este processo, que usa os tamanhos de característica que aproximam aqueles de circuitos integrados do LSI,

dá a utilizaço a melhor do silicone, tendo por resultado o desempenho proeminente.


Características:

Tipo do Fet: N-Ch
Tenso da Dreno--fonte [Vdss]: 50V
Dreno-fonte em Resistência-máximo: 0.1Ω
Dissipaço de poder avaliado: 48 W
Carga da porta de Qg: 40nC
Pacote: TO-252AA
Tipo de Mouting: Montagem de superfície
MOSFET do poder de TrenchFET®
100% Rg e UIS testou
APLICAÇÕES
• Conversores de DC/DC
• Inversores de DC/AC
• Movimentações do motor
Tehcnology Co. da eletrônica do supermercado fino, Ltd.
E-mail: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contato: VIVI-CHEN
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Mosfets TO-252AA do poder do canal de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm N

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