Tecnologia de processamento avançada INFINEON Alemanha do interruptor de IRFB4227PB PDP
Características
? Tecnologia de processamento avançada
? Os parmetros chaves aperfeiçoados para PDP sustentam,
Aplicações do interruptor da recuperaço e da passagem de energia
? Baixa avaliaço de EPULSE para reduzir o poder
A dissipaço em PDP sustenta, recuperaço de energia e aplicações do
interruptor da passagem
? Baixo QG para a resposta rápida
? Capacidade repetitiva alta da corrente de pico para a operaço
segura
? Queda curto & tempos de elevaço para o interruptor rápido
? temperatura de junço 175°C de funcionamento para a aspereza
melhorada
? Capacidade repetitiva da avalancha para o vigor e a confiança
? Amplificador audio 300W-500W da classe-d (Metade-ponte)
Descriço
Este MOSFET⑧ de HEXFETPower é projetado especificamente para
Sustain;
Aplicações do interruptor da recuperaço & da passagem de energia
nos painéis de exposiço do plasma.
Este MOSFET utiliza as técnicas de processamento as mais atrasadas
para conseguir a baixa em-resistência pela área do silicone
e baixa avaliaço do SE de EpuL. As características adicionais deste
MOSFET so 175°C
temperatura de junço de funcionamento e capacidade repetitiva alta
da corrente de pico.
Estas características combinam para fazer a este MOSFET um
dispositivo altamente eficiente, robusto e seguro para PDP que
conduz aplicações.
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