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diodo de barreira de 1N5819 40V 1A schottky com a caixa DO-41 para o gerador
Descriço:
Um diodo é uma válvula de sentido único para a eletricidade. Os diodos permitem o fluxo da eletricidade em um sentido. A maioria de diodos têm uma linha pintada em uma extremidade que mostra o sentido ou o fluxo. O lado negativo é normalmente branco.
Um diodo de Schottky é sabido igualmente como um diodo de portador quente; é um diodo de semicondutor com uma aço de comutaço muito rápida, mas uma baixa queda de tenso dianteira. Quando uma corrente corre através do diodo há uma queda de tenso pequena através dos terminais do diodo. Em um diodo normal, a queda de tenso está entre 0,6 a 1,7 volts, quando em um diodo de Schottky a queda de tenso variar normalmente entre 0,15 e 0.45volts. Esta gota de uma mais baixa tenso fornece uma velocidade de comutaço mais alta e a melhor eficiência de sistema. No diodo de Schottky, uma junço do semicondutor-metal é formada entre um semicondutor e um metal, assim criando uma barreira de Schottky. O N-tipo semicondutor atua como um cátodo e o lado do metal atua como o nodo do diodo.
Características:
• Extremamente - baixo VF
• Construço Epitaxial
• Perda de baixa potência, eficiência elevada
• Baixa carga armazenada, construço do portador de maioria
• O material plástico tem a classificaço 94V-0 da inflamabilidade do
UL
Aplicaço:
Os diodos de Schottky so usados para a tenso que aperta as aplicações e a prevenço da saturaço do transistor devido densidade atual alta no diodo de Schottky. É igualmente ser uma baixa queda de tenso dianteira no diodo de Schottky, ele é desperdiçado em menos calor, fazendo lhes uma escolha eficiente para as aplicações que so eficiência sensível e mesma. Devido ao diodo de Schottky usado do suporte em sistemas fotovoltaicos apenas a fim impedir que as baterias descarreguem a finalidade para os painéis solares na noite assim como na grade conectou os sistemas, contendo cordas múltiplas é paralelamente conexo conectada. Os diodos de Schottky so usados igualmente como retificadores em fontes de alimentaço.
Avaliações máximas & características térmicas:
Avaliaço em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposiço em contrário, carga Resistive ou indutiva, 60 hertz.
Para a carga capacitiva derate atual por 20%.
Parmetro | Símbolo | 1N5819 | Unidade |
Tenso reversa do pico de Max.repetitive | VRRM | 40 | V |
Tenso de entrada máxima da ponte do RMS | VRMS | 28 | V |
Tenso de obstruço máxima da C.C. | VDC | 40 | V |
Corrente de saída retificada dianteira média do máximo em TA=75℃ | SE (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | |
Seno-onda máxima da corrente de impulso dianteiro única sobreposta na carga avaliado | IFSM | 25 | |
Resistência térmica típica pelo elemento | ReJA | 50 | ℃/W |
Capacidade de junço típica pelo elemento | Cj | 110 | PF |
Variaço da temperatura de funcionamento da junço e do armazenamento | Tj TSTG | -55 a +125 | ℃ |
Características elétricas:
Avaliaço em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposiço em contrário. Carga Resistive ou indutiva, 60Hz.
Para a carga capacitiva derate em 20%.
Parmetro | Símbolo | 1N5819 | Unidade |
Queda de tenso dianteira instantnea do máximo pelo pé em 1.0A | VF | 0,6 | V |
Reverso máximo da C.C. atual em TA=25℃ avaliado Tenso de obstruço da C.C. pelo elemento TA=25℃ | IR | 1,0 10,0 | miliampère |
Dimenso: