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Tipo de superfície 1N5819 do retificador SMD da barreira de schottky da montagem de SS14 1.0A 40V
Descriço:
Um diodo de Schottky é sabido igualmente como um diodo de portador
quente; é um diodo de semicondutor com uma aço de comutaço muito
rápida, mas uma baixa queda de tenso dianteira. Quando uma corrente
corre através do diodo há uma queda de tenso pequena através dos
terminais do diodo. Em um diodo normal, a queda de tenso está entre
0,6 a 1,7 volts, quando em um diodo de Schottky a queda de tenso
variar normalmente entre 0,15 e 0.45volts. Esta gota de uma mais
baixa tenso fornece uma velocidade de comutaço mais alta e a melhor
eficiência de sistema. No diodo de Schottky, uma junço do
semicondutor-metal é formada entre um semicondutor e um metal,
assim criando uma barreira de Schottky. O N-tipo semicondutor atua
como um cátodo e o lado do metal atua como o nodo do diodo.
Características:
• Para a aplicaço de superfície da montagem
• Extremamente - baixo VF
• Construço Epitaxial
• Perda de baixa potência, eficiência elevada
• Baixa carga armazenada, construço do portador de maioria
• O material plástico tem a classificaço 94V-0 da inflamabilidade do UL
Aplicaço:
• Pode ser usado para impedir o problema reverso da polaridade
• Retificadores de meia onda e de onda completa
• Usado como um dispositivo de proteço
• Reguladores atuais do fluxo
Avaliações máximas & características térmicas:
Avaliaço em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposiço em contrário, carga Resistive ou indutiva, 60
hertz.
Para a carga capacitiva derate atual por 20%.
Parmetro | Símbolo | SS14 | Unidade |
Tenso reversa do pico de Max.recurrent | VRRM | 40 | V |
Tenso do RMS do máximo | VRMS | 28 | V |
Tenso de obstruço máxima da C.C. | VDC | 40 | V |
Corrente de saída retificada dianteira média do máximo em TA=90℃ | SE (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | |
Seno-onda máxima da corrente de impulso dianteiro única sobreposta na carga avaliado (método de JEDEC) | IFSM | 25 | |
Resistência térmica típica pelo elemento | ReJA | 50 | ℃/W |
Capacidade de junço típica pelo elemento | Cj | 70 | PF |
Junço de funcionamento | Tj | -55 a +125 | ℃ |
Variaço da temperatura do armazenamento | TSTG | -55 a +150 | ℃ |
Características elétricas:
Avaliaço em uma temperatura ambiental de 25 ℃ salvo disposiço em contrário. Carga Resistive ou indutiva, 60Hz.
Para a carga capacitiva derate em 20%.
Parmetro | Símbolo | SS14 | Unidade |
Queda de tenso dianteira instantnea do máximo pelo pé em 0.5A | VF | 0,5 | V |
Reverso máximo da C.C. atual em TA=25℃ avaliado | IR | 0,5 | μA |
Dimenso: