Baixo quadro do Invar 36 da precisão da expansão para aplicações do semicondutor

Number modelo:invar 36
Lugar de origem:Jiangsu, China
Quantidade de ordem mínima:100KGS
Termos do pagamento:T/T
Capacidade da fonte:5 toneladas pelo mês
Prazo de entrega:25days
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Quadro do Invar 36 da preciso com baixa expanso para aplicações do semicondutor


1 . Descriço:

O Invar do nome vem da palavra invariável, referindo sua falta relativa da expanso ou da contraço com mudanças de temperatura.

Foi inventado em 1896 pelo físico suíço Charles Édouard Guillaume. Recebeu o prêmio nobel na física em 1920 para esta descoberta, que permitiu melhorias em instrumentos científicos.
OhmAlloy-4J36 (Invar) é usado onde a estabilidade dimensional alta é exigida, como instrumentos de preciso, pulsos de disparo, calibres sísmicos do rastejamento, quadros da máscara perfurada da televiso, válvulas nos motores, e relógios antimagnéticos. Na terra que examina, quando o nivelamento de primeira ordem da elevaço (da elevada preciso) deve ser executada, o pessoal nivelado (que nivela a haste) usado é feito do Invar, em vez da madeira, da fibra de vidro, ou dos outros metais. Os suportes do Invar foram usados em alguns pistões para limitar sua expanso térmica dentro de seus cilindros.


2 . Composition% normal


Ni

35~37.0

Fe

Bal.

Co

-

Si

≤0.3

Mo

-

Cu

-

Cr

-

Manganês

0.2~0.6

C

≤0.05

P

≤0.02

S

≤0.02



Propriedades físicas típicas


Densidade (g/cm3)

8,1

Resistividade elétrica em 20ºC (mm2/m)

0,78

Fator de temperatura da resistividade (20ºC~200ºC) X10-6/ºC

3.7~3.9

Condutibilidade térmica, λ/com (m*ºC)

11

ºC do Tc/do ponto do curie

230

Módulo elástico, e Gpa

144

3. aplicaço

no rádio e nos dispositivos eletrónicos,
peças da fabricaço em controles de aviões
sistema ótico e do laser
nos termostatos bimetálicos e nos conjuntos da haste e de tubo para reguladores da temperatura



4 . Propriedades mecnicas típicas


Resistência traço

Alongamento

Mpa

%

641

14

689

9

731

8



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Baixo quadro do Invar 36 da precisão da expansão para aplicações do semicondutor

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