C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF

Número de modelo:VBE6006H
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1pcs
Capacidade da fonte:10k
Tempo de entrega:5-8 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento:embalagem neutra
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Shenzhen Guangdong China
Endereço: Assoalho 4, construindo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, província de Guangdong, China
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C.C. aos transistor de GaN do poder superior da Largo-faixa do nitreto 28V do gálio do transistor de poder de 4GHz 60W RF

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