Transistor de faixa larga largo dos FETs 28V LDMOS RF do transistor de poder LDMOS da faixa 700-3600MHz 20W RF, transistor do RF do poder superior
Número de modelo:VBE36015E2
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1pcs
Capacidade da fonte:10k
Tempo de entrega:5-8 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento:embalagem neutra
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Fornecedor verificado
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
Assoalho 4, construindo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, província de Guangdong, China
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Transistor de faixa larga largo dos FETs 28V LDMOS RF do transistor de poder LDMOS da faixa 700-3600MHz 20W RF, transistor do RF do poder superior
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