Configuração da ponte do módulo de poder 2270W do elevado desempenho IGBT 1mA meia
Quantidade de ordem mínima:1 parte
Termos do pagamento:T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:1000 partes pelo ano
Tempo de entrega:1-3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento:Embalagem padrão da fábrica
Estado da parte:Ativo
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Dos Estados-Site
Shenzhen Guangdong China
Endereço:
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
Fornecedor do último login vezes:
No 48 Horas
Detalhes do produto
Perfil da empresa
Detalhes do produto
| Estado da parte | Ativo | |
|---|---|---|
| Tipo de IGBT | - | |
| Configuraço | Meia ponte | |
| Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima) | 1200V | |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 300A | |
| Poder - máximo | 2270W | |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.25V @ 15V, 300A | |
| Atual - interrupço do coletor (máxima) | 1mA | |
| Capacidade entrada (Cies) @ Vce | 30nF @ 10V | |
| Entrada | Padro | |
| Termistor de NTC | No | |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Montando o tipo | Montagem do chassi | |
| Pacote/caso | Módulo | |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | Módulo |
Configuração da ponte do módulo de poder 2270W do elevado desempenho IGBT 1mA meia
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